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1. (WO2006030522) 薄膜半導体装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/030522    国際出願番号:    PCT/JP2004/013676
国際公開日: 23.03.2006 国際出願日: 17.09.2004
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 27/092 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01)
出願人: Sharp Kabushiki Kaisha [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YOSHINO, Kenichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HARA, Akito [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKEI, Michiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HIRANO, Takuya [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YOSHINO, Kenichi; (JP).
HARA, Akito; (JP).
TAKEI, Michiko; (JP).
HIRANO, Takuya; (JP)
代理人: KOKUBUN, Takayoshi; 5th Floor, Ikebukuro TG Homest Building 17-8, Higashi-Ikebukuro 1-chome Toshima-ku, Tokyo 1700013 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) THIN FILM SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR A FILM MINCE ET PROCEDE DE FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 薄膜半導体装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)An Mo film (6) is formed on an SiO2 film (5) by adjusting a film thickness to be within a range of 100nm to 500nm (more preferably, 100nm to 300nm) and a film forming temperature within a range of 25°C to 300°C by using the film thickness and the film forming temperature (ambient temperature in a sputter chamber) as major parameters, and by controlling residual stress to be at a prescribed value of 300MPa or more in a direction within a plane to increase a lattice constant. Thus, without adding an extra process to give distortion to the silicon thin film, desired distortion is easily and surely given to polysilicon thin films (4a and 4b) to improve mobility, and thereby a highly reliable CMOSTFT can be obtained.
(FR)L’invention porte sur un film Mo (6) formé sur un film de SiO2 (5) en réglant l’épaisseur de film dans une fourchette de 100nm à 500 nm (idéalement de 100nm à 300nm) et une température de formation de film dans une fourchette de 25°C à 300°C, en utilisant l’épaisseur de film et la température de formation de film (température ambiante dans une chambre de pulvérisation cathodique) comme principaux paramètres, et en jouant sur la contrainte résiduelle pour qu’elle soit supérieure ou égale à une valeur prescrite de 300MPa dans une direction dans un plan pour augmenter une constante de treillis. De cette manière, sans ajouter de procédé supplémentaire pour distordre le film mince de silicium, on provoque facilement et en toute fiabilité une distorsion désirée des films minces de polysilicium (4a et 4b) pour améliorer la mobilité, et pour ainsi obtenir un CMOSTFT extrêmement fiable.
(JA) 特に膜厚及び成膜温度(スパッタチャンバー内の環境温度)を主要なパラメータとして、膜厚を100nm~500nm(更に好ましくは100nm~300nm)、成膜温度を25°C~300°Cの範囲内で調節して、残留応力が面内方向において格子定数を増加させる方向に300MPa以上の所定値となるように制御し、SiO膜(5)上にMo膜(6)を成膜する。これにより、シリコン薄膜に歪みを与えるための更なる工程を付加することなく、容易且つ確実にポリシリコン薄膜(4a,4b)に所望の歪みを与えて移動度を向上させることを実現する信頼性の高いCMOSTFTを得ることができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)