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1. (WO2006030516) 磁気記憶装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/030516    国際出願番号:    PCT/JP2004/013625
国際公開日: 23.03.2006 国際出願日: 17.09.2004
IPC:
H01L 27/105 (2006.01), H01L 43/08 (2006.01), G11C 11/15 (2006.01)
出願人: FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SATO, Yoshihiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SATO, Yoshihiro; (JP)
代理人: KOKUBUN, Takayoshi; 5th Floor, Ikebukuro TG Homest Building, 17-8, Higashi-Ikebukuro 1-chome, Toshima-ku, Tokyo 1700013 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) MAGNETIC STORAGE AND ITS MANUFACTURING METHOD
(FR) STOCKAGE MAGNETIQUE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) 磁気記憶装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)In an MRAM of the invention, a bit line (202) has a bent portion (206) similarly formed. The bent portion (206) is bent centering a TMR element (203), in this case, into a generally U shape (in the example shown in the drawing, generally inverted-U shape). The bit line (202) having the bent portion (206) surrounds the TMR element (203) inside the space defined by the bent portion (206). With this relatively simple constitution, a highly reliable MRAM realizing considerable power saving in data writing into a memory cell is realized which satisfying the requirement of further microminiaturization of the device.
(FR)Dans une MRAM de l’invention, une ligne de bits (202) a une partie courbée (206) formée de manière similaire. La partie courbée (206) est courbée en centrant un élément TMR (203), dans ce cas, généralement dans une forme en U (dans l’exemple représenté sur le dessin, généralement dans une forme en U renversé). La ligne de bits (202) ayant la partie courbée (206) encercle l’élément TMR (203) à l’intérieur de l’espace défini par la partie courbée (206). Avec cette construction relativement simple, une MRAM très fiable réalisant une économie d’énergie considérable pour l’écriture de données dans une cellule de mémoire est réalisée, laquelle satisfait à l’exigence de microminiaturisation supplémentaire du dispositif.
(JA) 本発明のMRAMでは、ビット線(202)に同様に湾屈領域(206)が形成されており、この湾屈領域(206)は、TMR素子(203)を中心とする屈曲状、ここでは略U字状(図示の例では略逆U字状)とされている。湾屈領域(206)の形成されたビット線(202)は、TMR素子(203)を湾屈領域(206)により形成される空間の内部に包含する。この構成により、比較的簡易な構成により、装置の更なる微細化の要請を満たしつつも、メモリセルへのデータ書き込み時における大幅な省電力化を実現する信頼性の高いMRAMが実現する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)