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1. (WO2006028168) フォトマスクブランク及びフォトマスク
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/028168    国際出願番号:    PCT/JP2005/016511
国際公開日: 16.03.2006 国際出願日: 08.09.2005
予備審査請求日:    06.06.2006    
IPC:
G03F 1/32 (2012.01), G03F 1/68 (2012.01), G03F 1/80 (2012.01), H01L 21/027 (2006.01)
出願人: SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 6-1, Otemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TOPPAN PRINTING CO., LTD. [JP/JP]; 5-1, Taito 1-chome, Taito-ku, Tokyo 1108560 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YOSHIKAWA, Hiroki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
INAZUKI, Yukio [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OKAZAKI, Satoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HARAGUCHI, Takashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
IWAKATA, Masahide [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKAGI, Mikio [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
FUKUSHIMA, Yuichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAGA, Tadashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YOSHIKAWA, Hiroki; (JP).
INAZUKI, Yukio; (JP).
OKAZAKI, Satoshi; (JP).
HARAGUCHI, Takashi; (JP).
IWAKATA, Masahide; (JP).
TAKAGI, Mikio; (JP).
FUKUSHIMA, Yuichi; (JP).
SAGA, Tadashi; (JP)
代理人: KOJIMA, Takashi; GINZA OHTSUKA Bldg. 2F, 16-12, Ginza 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 104-0061 (JP)
優先権情報:
2004-263161 10.09.2004 JP
発明の名称: (EN) PHOTOMASK BLANK AND PHOTOMASK
(FR) ÉBAUCHE POUR PHOTOMASQUE ET PHOTOMASQUE
(JA) フォトマスクブランク及びフォトマスク
要約: front page image
(EN)A photomask blank to be used as a material for a photomask is provided with a mask pattern having a transparent area and an effectively opaque area to exposure light on a transparent board. On the transparent board, one or more layers of light shielding films are formed with or without other film (A) in between, at least one layer (B) which constitutes the light shielding film includes silicon or a transition metal as main ingredient, and a molar ratio of silicon to the transition metal is silicon:metal=4-15:1 (atomic ratio). The photomask provided with the mask pattern having the transparent area and the effectively opaque area to exposure light on the transparent board is also provided.
(FR)L’invention porte sur une ébauche pour photomasque à utiliser comme matériau pour photomasque avec un motif de masque possédant une zone transparente et une zone effectivement opaque à la lumière d’exposition sur une plaque transparente. Sur la plaque transparente, une ou plusieurs couches de films de protection contre la lumière sont formées avec ou sans un autre film (A) entre ceux-ci, au moins une couche (B) constituant le film de protection contre la lumière comporte du silicium ou un métal de transition comme ingrédient principal, et un rapport molaire du silicium au métal de transition est silicium:métal=4-15:1 (rapport atomique). L’invention concerne également le photomasque accompagnant le motif de masque possédant la zone transparente et la zone effectivement opaque à la lumière d’exposition sur la plaque transparente.
(JA) 透明基板上に露光光に対して透明な領域と実効的に不透明な領域とを有するマスクパターンを設けたフォトマスクの素材となるフォトマスクブランクであって、透明基板上に、他の膜(A)を介して又は介さずに1層又は2層以上の遮光膜が形成され、前記遮光膜を構成する層の少なくとも1層(B)が主成分としてケイ素と遷移金属とを含み、かつケイ素と遷移金属とのモル比がケイ素:金属=4~15:1(原子比)であるフォトマスクブランク及びこのフォトマスクブランクを用いて透明基板上に露光光に対して透明な領域と実効的に不透明な領域とを有するマスクパターンを形成してなるフォトマスク。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)