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1. (WO2006028081) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/028081    国際出願番号:    PCT/JP2005/016319
国際公開日: 16.03.2006 国際出願日: 06.09.2005
IPC:
H01L 23/29 (2006.01), C08L 83/05 (2006.01), C08L 83/07 (2006.01)
出願人: THE KANSAI ELECTRIC POWER CO., INC. [JP/JP]; 6-16, Nakanoshima 3-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5308270 (JP) (米国を除く全ての指定国).
ADEKA CORPORATION [JP/JP]; 2-35, Higashi-ogu 7-chome, Arakawa-ku, Tokyo, 1160012 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SUGAWARA, Yoshitaka [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SHOJI, Yoshikazu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SUGAWARA, Yoshitaka; (JP).
SHOJI, Yoshikazu; (JP)
代理人: KAWAMIYA, Osamu; AOYAMA & PARTNERS IMP Building 3-7, Shiromi 1-chome Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 5400001 (JP)
優先権情報:
2004-258673 06.09.2004 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約: front page image
(EN)The outer surface of a wide-gap semiconductor device is coated with a synthetic polymer compound containing one or more silicon-containing polymer having a bridged structure formed by a siloxane (Si-O-Si bond structure). The synthetic polymer compound may include, for example, a silicon-containing polymer which has one or more reactive groups (A') selected from Si-R1, Si-O-R2 and Si-R3-OCOC(R4)=CH2, while having a bridged structure formed by an Si-O-Si bond in one or more locations and containing a component having a weightaverage molecular weight of not more than 1000 in an amount of 20% byweight or less.
(FR)La surface externe d’un dispositif semi-conducteur à large entrefer est revêtue d’un composé polymère synthétique contenant un ou plusieurs polymères contenant du silicium avec une structure pontée constituée d’un siloxane (structure de liaison Si-O-Si). Le composé polymère synthétique peut comporter par exemple un polymère contenant du silicium avec un ou plusieurs groupes réactifs (A') sélectionnés parmi Si-R1, Si-O-R2 et Si-R3-OCOC(R4)=CH2, tout en possédant une structure pontée constituée d’une liaison Si-O-Si en un ou plusieurs endroits et contenant un composant d’un poids moléculaire moyen en poids ne dépassant pas 1000 dans une quantité inférieure ou égale à 20% en poids.
(JA) ワイドギャップ半導体素子の外面を、シロキサン(Si-O-Si結合体)による橋かけ構造を有する1種以上のケイ素含有重合体を含有する合成高分子化合物で被覆する。前記合成高分子化合物は、例えば、Si-R1、Si-O-R2及びSi-R3-OCOC(R4)=CH2の群から選ばれる一種または二種以上の反応基(A’)を有し、Si-O-Si結合による橋かけ構造を一箇所以上有する、重量平均分子量1000以下の成分が20重量%以下の、ケイ素含有重合体である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)