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1. (WO2006028017) シリコンウェーハの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/028017    国際出願番号:    PCT/JP2005/016121
国際公開日: 16.03.2006 国際出願日: 02.09.2005
IPC:
H01L 21/306 (2006.01)
出願人: SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058634 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KOYATA, Sakae [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HASHII, Tomohiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MURAYAMA, Katsuhiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKAISHI, Kazushige [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KATOH, Takeo [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KOYATA, Sakae; (JP).
HASHII, Tomohiro; (JP).
MURAYAMA, Katsuhiko; (JP).
TAKAISHI, Kazushige; (JP).
KATOH, Takeo; (JP)
代理人: SHIGA, Masatake; 2-3-1, Yaesu, Chuo-ku, Tokyo 104-8453 (JP)
優先権情報:
2004-257886 06.09.2004 JP
2005-237520 18.08.2005 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING SILICON WAFER
(FR) PROCÉDÉ SERVANT À PRODUIRE UNE PLAQUE DE SILICIUM
(JA) シリコンウェーハの製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a method for producing a silicon wafer comprising, in this order, a planarization step for grinding or lapping the front and back sides of a wafer, a single-wafer acid etching step wherein an acid etching liquid is supplied to the surface of the wafer while spinning the wafer and the entire surface of the wafer is etched so as to control the surface roughness (Ra) thereof to 0.20 μm or less, and a double-side polishing step for simultaneously polishing the front and back sides of the wafer having been etched by the acid. A single-side polishing step, wherein either front or back side of the wafer having been etched by the acid is polished at a time, may be included instead of the double-side polishing step.
(FR)L’invention concerne un procédé servant à produire une plaque de silicium comprenant, dans cet ordre, une étape consistant à la rendre plan consistant à meuler ou à roder par poudre abrasive les faces avant et arrière d'une plaque, une étape unique de décapage acide de la plaque selon laquelle un liquide de décapage acide est amené sur la surface de la plaque tout en faisant tourner la plaque et la totalité de la surface de la plaque est décapée de façon à contrôler la rugosité de la surface (Ra) de celle-ci à une valeur inférieure ou égale à 0,20 µm et une étape de polissage des deux faces consistant à polir simultanément les faces avant et arrière de la plaque ayant été décapée par l'acide. Un étape de polissage d'une seule face, selon laquelle l'une ou l'autre de la face avant ou de la face arrière de la plaque ayant été décapée par l'acide est polie à la fois, peut être incluse à la place de l'étape de polissage des deux faces.
(JA) このシリコンウェーハの製造方法は、ウェーハの表裏面を研削又はラッピングする平面化工程と、前記ウェーハをスピンしながら表面に酸エッチング液を供給して、ウェーハ表面全体をエッチングして表面粗さRaを0.20μm以下に制御する枚葉式酸エッチング工程と、前記酸エッチングしたウェーハの表裏面を同時に研磨する両面同時研磨工程と、をこの順に含む。前記両面同時研磨工程の代わりに、前記酸エッチングしたウェーハの表裏面を片面ずつ研磨する片面研磨工程を含んでもよい。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)