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1. (WO2006027928) フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/027928    国際出願番号:    PCT/JP2005/014643
国際公開日: 16.03.2006 国際出願日: 10.08.2005
IPC:
C23F 4/00 (2006.01), G03F 1/48 (2012.01), G03F 1/50 (2012.01), G03F 1/54 (2012.01), H01L 21/027 (2006.01)
出願人: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. [JP/JP]; 6-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TOPPAN PRINTING CO., LTD. [JP/JP]; 1-5-1, Taito, Taito-ku, Tokyo 1108560 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YOSHIKAWA, Hiroki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
INAZUKI, Yukio [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KINASE, Yoshinori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OKAZAKI, Satoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HARAGUCHI, Takashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
IWAKATA, Masahide [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKAGI, Mikio [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
FUKUSHIMA, Yuichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAGA, Tadashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YOSHIKAWA, Hiroki; (JP).
INAZUKI, Yukio; (JP).
KINASE, Yoshinori; (JP).
OKAZAKI, Satoshi; (JP).
HARAGUCHI, Takashi; (JP).
IWAKATA, Masahide; (JP).
TAKAGI, Mikio; (JP).
FUKUSHIMA, Yuichi; (JP).
SAGA, Tadashi; (JP)
代理人: OHNO, Seiji; OHNO & PARTNERS, Kasumigaseki Building 36F, 2-5, Kasumigaseki 3-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1006036 (JP)
優先権情報:
2004-263482 10.09.2004 JP
発明の名称: (EN) PHOTOMASK BLANK, PHOTOMASK AND METHOD FOR PRODUCING THOSE
(FR) EBAUCHE POUR PHOTOMASQUE, PHOTOMASQUE ET PROCEDE DE FABRICATION IDOINE
(JA) フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法
要約: front page image
(EN)A metal film is formed on one major surface of a photomask substrate (11) as a light-blocking layer (12). This metal film is not substantially etched by oxygen-containing chlorine-based dry etching ((Cl + O)-type dry etching), but can be etched by non-oxygen containing chlorine-based dry etching (Cl-type dry etching) and fluorine-based dry etching (F-type dry etching). A metal compound film is formed on the light-blocking layer (12) as an antireflective layer (13). This metal compound film is not substantially etched by non-oxygen containing chlorine-based dry etching (Cl-type), but can be etched by at least one of oxygen-containing chlorine-based dry etching ((Cl + O)-type) and fluorine-based dry etching (F-type).
(FR)L’invention porte sur un film de métal formé sur une surface principale de substrat de photomasque (11) comme couche photobloquante (12). Ce film de métal n’est sensiblement pas soumis à une attaque chimique à sec à base de chlore contenant de l’oxygène (attaque chimique à sec de type (Cl + O)), mais peut être soumis à une attaque chimique à sec à base de chlore ne contenant pas d’oxygène (attaque chimique à sec de type Cl) et une attaque chimique à sec à base de fluor (attaque chimique à sec de type F). Un film composé métallique est formé sur la couche photobloquante (12) comme couche antireflet (13). Ce film composé métallique n’est sensiblement pas soumis à une attaque chimique à sec à base de chlore ne contenant pas d’oxygène (type Cl), mais peut être soumis à au moins une attaque chimique à sec à base de chlore contenant de l’oxygène (type (Cl + O)) et une attaque chimique à sec à base de fluor (type F).
(JA) フォトマスク基板11の一方主面に、酸素含有の塩素系ドライエッチング((Cl+O)系ドライエッチング)では実質的なエッチングがされず、かつ酸素非含有の塩素系ドライエッチング(Cl系ドライエッチング)およびフッ素系ドライエッチング(F系ドライエッチング)でエッチングが可能な金属膜が遮光層12として備えられている。そしてこの遮光層12の上に、酸素非含有塩素系ドライエッチング(Cl系)では実質的なエッチングがされず、かつ酸素含有塩素系ドライエッチング((Cl+O)系)あるいはフッ素系ドライエッチング(F系)の少なくとも一方のエッチングでエッチングが可能な金属化合物膜が反射防止層13として備えられている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)