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1. (WO2006027900) 塗布、現像装置、レジストパターン形成方法、露光装置及び洗浄装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/027900    国際出願番号:    PCT/JP2005/013397
国際公開日: 16.03.2006 国際出願日: 21.07.2005
IPC:
H01L 21/027 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome Minato-ku, Tokyo 1078481 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YAMAMOTO, Taro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
FUKUDA, Masahiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ISHIDA, Seiki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YAMAMOTO, Taro; (JP).
FUKUDA, Masahiro; (JP).
ISHIDA, Seiki; (JP)
代理人: YOSHITAKE, Kenji; Kyowa Patent & Law Office Room 323, Fuji Bldg. 2-3, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
優先権情報:
2004-264753 10.09.2004 JP
発明の名称: (EN) COATING AND DEVELOPING APPARATUS, RESIST PATTERN FORMING METHOD, EXPOSURE APPARATUS AND CLEANING APPARATUS
(FR) APPAREIL DE REVETEMENT ET DE DEVELOPPEMENT, PROCEDE DE FORMATION DE MOTIF DE RESERVE, APPAREIL D'EXPOSITION ET APPAREIL DE NETTOYAGE
(JA) 塗布、現像装置、レジストパターン形成方法、露光装置及び洗浄装置
要約: front page image
(EN)A coating/developing apparatus by which particles adhered on a semiconductor wafer are removed by a simple structure after resist coating and prior to immersion exposure or after immersion exposure and prior to development. Prior to the immersion exposure, the wafer is cleaned by using a nozzle part provided with slit-shaped parallel suction ports on the both sides of a cleaning liquid discharge port having a length equivalent to substantially the diameter of the wafer. The nozzle part is provided with a U-shaped part, which surrounds the circumference of the wafer, has cleaning liquid discharge ports on the inner sides of an upper plane part and a lower plane part on the both edge parts of the nozzle part, a suction port surrounding the liquid discharge port on the lower plane part, and a suction port on a side plane part. The wafer is cleaned after the immersion exposure and prior to the development by using the nozzle part. Since the cleaning liquid is sucked while being discharged onto the surface or the circumference part of the wafer, a cup around the wafer for recovering the cleaning solution is eliminated. As a result, a space required for the entire coating/developing apparatus can be saved.
(FR)L'invention concerne un appareil de revêtement/développement par lequel des particules collées sur une tranche de semi-conducteur sont enlevées par une structure simple après revêtement de réserve et avant exposition par immersion ou après exposition par immersion et avant développement. Avant l'exposition par immersion, la tranche est nettoyée en utilisant une buse dotée d'orifices d'aspiration parallèles en forme de fente sur les deux côtés d'un orifice d'évacuation du liquide de nettoyage ayant une longueur sensiblement équivalente au diamètre de la tranche. La buse est munie d'une partie en forme de U, qui entoure la circonférence de la tranche, présente des orifices d'évacuation du liquide de nettoyage sur les côtés intérieurs d'une partie plane supérieure et d'une partie plane inférieure sur les deux parties du bord de la buse, un orifice d'aspiration entourant l'orifice d'évacuation du liquide sur une partie plane inférieure, et un orifice d'aspiration sur une partie plane latérale. La tranche est nettoyée après l'exposition par immersion et avant le développement en utilisant la buse. Le liquide de nettoyage étant aspiré tout en étant projeté sur la surface ou la circonférence de la tranche, il est inutile de placer un récipient autour de la tranche pour récupérer la solution de nettoyage. Par conséquent, un espace nécessaire à l'intégralité de l'appareil de revêtement/développement peut être économisé.
(JA) レジスト塗布後、液浸露光前において、あるいは液浸露光後、現像前において、半導体ウエハに付着したパーティクルの除去を簡易な構造で行う塗布・現像装置を提供する。液浸露光前において、ウエハの略直径に相当する長さの洗浄液吐出口の両側に並行してスリット状の吸引口が形成されたノズル部を用いてウエハを洗浄する。また前記ノズル部の両端部において、上面部及び下面部の内側に洗浄液吐出口を有し、かつ下面部に洗浄液吐出口を囲むような吸引口と、側面部に吸引口とを備えた、ウエハの周縁部を囲むようなコ字型部を備えたノズル部を用いて液浸露光後、現像前にウエハを洗浄する。洗浄液がウエハの表面又は周縁部に吐出されつつ吸引されるのでウエハの周りに洗浄液を回収するカップが不要となる結果、塗布、現像装置全体の省スペース化が図られる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)