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World Intellectual Property Organization
1. (WO2006027891) 基板洗浄方法及び現像装置

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国際公開番号:    WO/2006/027891    国際出願番号:    PCT/JP2005/012599
国際公開日: 16.03.2006 国際出願日: 07.07.2005
H01L 21/027 (2006.01), G03F 7/30 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1078481 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAKAMURA, Junji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YOSHIHARA, Kousuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAMAMURA, Kentaro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
IWAO, Fumiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TAKEGUCHI, Hirofumi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NAKAMURA, Junji; (JP).
YOSHIHARA, Kousuke; (JP).
YAMAMURA, Kentaro; (JP).
IWAO, Fumiko; (JP).
TAKEGUCHI, Hirofumi; (JP)
代理人: YOSHITAKE, Kenji; Kyowa Patent & Law Office Room 323, Fuji Bldg. 2-3, Marunouchi 3-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
2004-262983 09.09.2004 JP
(JA) 基板洗浄方法及び現像装置
要約: front page image
(EN)A substrate cleaning method ensuring high cleaning effects when dissolved matters on the surface of a substrate are cleaned off after performing development by supplying developer to the surface of an exposed semiconductor wafer. While rotating a developed wafer, cleaning liquid is ejected from a nozzle to the central part of the wafer and spread to the circumference thus forming a liquid film. The nozzle is then moved to generate a dry region at the central part of the substrate and the substrate is rotated at 1500 rpm to spread the dry region to the circumference by its centrifugal force. The nozzle is moved up to a position separated by, for example, 80 mm from the center of the wafer and 5 mm or more from the circumferential edge of the wafer to the central part side at a speed not overtaken by the dry region, and cleaning liquid ejection is stopped at that position. Alternatively, other nozzle may be arranged previously at that position in order to eject the cleaning liquid and ejection may be stopped immediately before the dry region reaches that position. When the core of the dry region is formed in the center of the wafer, gas is preferably blown to the central part of the substrate and blowing of gas is stopped immediately.
(FR)L'invention concerne un procédé de nettoyage de substrat garantissant des effets de nettoyage puissants lorsque des matières dissoutes sur la surface d'un substrat sont nettoyées après un développement par application d'un révélateur sur la surface d'une tranche de semi-conducteur exposée. Pendant que la tranche révélée tourne, du liquide nettoyant est projeté par une buse vers la partie centrale de la tranche et étalé sur la circonférence, si bien qu'un film liquide est formé. La buse est ensuite déplacée pour générer une zone sèche au centre du substrat et le substrat est mis en rotation à 1 500 tours par minute pour étendre la zone sèche à la circonférence par sa force centrifuge. La buse est déplacée jusqu'à une position située, par exemple, à 80 mm du centre de la tranche et à 5 mm ou plus du bord de la circonférence de la tranche vers le côté de la partie centrale à une vitesse non dépassée par la zone sèche, et la projection du liquide nettoyant est arrêtée au niveau de cette position. En variante, une autre buse peut être disposée préalablement au niveau de cette position pour la projection du liquide nettoyant et la projection peut être arrêtée immédiatement avant que la zone sèche n'atteigne cette position. Quand le centre de la zone sèche est formé au centre de la tranche, du gaz est de préférence envoyé dans la partie centrale du substrat et l'envoi du gaz est arrêté immédiatement.
(JA) 露光された半導体ウエハの表面に現像液を供給して現像を行った後に、基板の表面の溶解物を洗浄するにあたって、高い洗浄効果を得ること。  現像を終えたウエハを回転させながら、ノズルからウエハ中心部に洗浄液を吐出してその洗浄液を周囲に広げて液膜を形成し、次いで前記ノズルを移動させて、基板の中心部に乾燥領域を発生させ、基板を1500rpmの回転数で回転させその遠心力により前記乾燥領域を周囲に広げる。前記ノズルは乾燥領域に追いつかれない速度でウエハの中心から例えば80mm離れた位置であってウエハの周縁よりも5mm以上中心部側に寄った位置まで移動し、そこで洗浄液の吐出を停止する。また予めこの位置に別のノズルを配置して、ここから洗浄液を吐出しておき、乾燥領域がそこへ到達する直前にその吐出を停止してもよい。ウエハの中心に乾燥領域のコアを形成する場合、ガスを基板の中心部に吹き付け、直ぐにその吹き付けを停止することが好ましい。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)