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1. (WO2006025515) 有機金属化学気相成長法用原料液及び該原料液を用いたHf-Si含有複合酸化物膜の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/025515    国際出願番号:    PCT/JP2005/016082
国際公開日: 09.03.2006 国際出願日: 02.09.2005
IPC:
C23C 16/40 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01)
出願人: MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION [JP/JP]; 5-1, Ohtemachi 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1008117 (JP) (米国を除く全ての指定国).
ITSUKI, Atsushi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YANAGISAWA, Akio [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SOYAMA, Nobuyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: ITSUKI, Atsushi; (JP).
YANAGISAWA, Akio; (JP).
SOYAMA, Nobuyuki; (JP)
優先権情報:
2004-255097 02.09.2004 JP
2004-255098 02.09.2004 JP
2005-250917 31.08.2005 JP
2005-250945 31.08.2005 JP
発明の名称: (EN) RAW MATERIAL LIQUID FOR METAL ORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION AND METHOD FOR PRODUCING Hf-Si CONTAINING COMPLEX OXIDE FILM USING SUCH RAW MATERIAL LIQUID
(FR) LIQUIDE DE MATIÈRE PREMIÈRE POUR DÉPOSITION DE VAPEUR CHIMIQUE ORGANIQUE MÉTALLIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN FILM D’OXYDE COMPLEXE CONTENANT DU Hf-Si UTILISANT UN TEL LIQUIDE DE MATIÈRE PREMIÈRE
(JA) 有機金属化学気相成長法用原料液及び該原料液を用いたHf-Si含有複合酸化物膜の製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a raw material liquid for MOCVD having high film-forming rate. Also disclosed is a method for producing an Hf-Si containing complex oxide film using such a raw material liquid. Further disclosed is a method for producing an Hf-Si containing complex oxide film using a raw material liquid for MOCVD which has good adhesion to a base. Specifically disclosed is a raw material liquid for MOCVD which is characterized in that an organic Si compound expressed as (R1R2N)nSiH(4-n) and an organic Hf compound expressed as Hf(OR3)4 are mixed in a certain ratio. The mixing ratio by weight between the organic Si compound and the organic Hf compound (the organic Hf compound/the organic Si compound) is within the range from 0.001% by weight to 0.5% by weight. The raw material liquid for MOCVD is further characterized in that it is prepared by dissolving the organic Hf compound mixed at a weight ratio within the above-mentioned range into the organic Si compound and heating the resulting dissolution at 20-100˚C.
(FR)L’invention porte sur un liquide de matière première pour MOCVD de grande vitesse de formation de film. Elle concerne également un procédé de production d’un film d’oxyde complexe contenant du Hf-Si utilisant un tel liquide de matière première. Elle porte en outre sur un procédé de fabrication d’un film d’oxyde complexe contenant du Hf-Si utilisant un liquide de matière première pour MOCVD ayant une bonne adhérence à une base. Elle divulgue spécifiquement un liquide de matière première pour MOCVD caractérisé en ce qu’un composé organique Si exprimé sous la forme suivante (R1R2N)nSiH(4-n) et un composé organique Hf s’exprimant comme Hf(OR3)4 sont mélangés dans un certain rapport. Le rapport de mélange en poids entre le composé organique Si et le composé organique Hf (composé organique Hf/composé organique Si) est dans la fourchette comprise entre 0,001% en poids et 0,5% en poids. Le liquide de matière première pour MOCVD se caractérise en outre en ce qu’on le prépare en dissolvant le composé organique Hf mélangé dans un certain rapport pondéral dans la fourchette mentionnée ci-dessus dans le composé organique Si et en chauffant la dissolution résultante à 20-100°C.
(JA)not available
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)