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1. (WO2006025420) 炭化珪素単結晶の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/025420    国際出願番号:    PCT/JP2005/015844
国際公開日: 09.03.2006 国際出願日: 31.08.2005
IPC:
C30B 29/36 (2006.01), C30B 19/04 (2006.01)
出願人: SUMITOMO METAL INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi Osaka 5410041 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KUSUNOKI, Kazuhiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KAMEI, Kazuhito [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YASHIRO, Nobuyoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAUCHI, Akihiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
UEDA, Yoshihisa [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ITOH, Yutaka [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OKADA, Nobuhiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KUSUNOKI, Kazuhiko; (JP).
KAMEI, Kazuhito; (JP).
YASHIRO, Nobuyoshi; (JP).
YAUCHI, Akihiro; (JP).
UEDA, Yoshihisa; (JP).
ITOH, Yutaka; (JP).
OKADA, Nobuhiro; (JP)
代理人: HIROSE, Shoichi; Tozan Building 4-2, Nihonbashi Honcho 4-chome Chuo-ku, Tokyo 103-0023 (JP)
優先権情報:
2004-257041 03.09.2004 JP
2004-304132 19.10.2004 JP
2004-338898 24.11.2004 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PREPARING SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL
(FR) PROCÉDÉ POUR LA PRÉPARATION D’UN MONOCRISTAL DE CARBURE DE SILICIUM
(JA) 炭化珪素単結晶の製造方法
要約: front page image
(EN)A method for preparing a silicon carbide single crystal by the solution growth method wherein a seed crystal fixed to a seed axis is immersed in a solution of SiC in a Si or Si alloy melt, and the resultant solution is cooled gradually as a whole or a temperature inclination is introduced to the solution, to thereby grow an SiC single crystal on the seed crystal, characterized in that it further comprises the application of an accelerated rotation of a crucible wherein an acceleration to a prescribed rotation number, a retention at the rotation number and a deceleration to a low or zero rotation number are repeated. The direction of rotation may be changed for each accelerated rotation. Further, the seed axis may be rotated in synchronization with the rotation of the crucible in the direction being the same with or reverse to that of the rotation of the crucible. The above method can be suitably used for preparing a single crystal having a large size and being free of inclusions and of good quality with a high crystal growth speed.
(FR)L’invention concerne un procédé pour la préparation d’un monocristal de carbure de silicium selon le procédé de croissance en solution dans lequel un cristal germe fixé sur un axe de germination est immergé dans une solution de SiC dans une fonte de Si ou d’alliage de Si, et la solution résultante est progressivement refroidie en entier ou alors selon un gradient de température introduit dans la solution, de façon à faire grandir un monocristal de SiC sur le cristal germe, caractérisé du fait qu’il comprend en outre l’application d’une rotation accélérée d’un creuset où sont répétés une accélération jusqu’à un nombre de rotations prescrit, un maintien de ce nombre de rotations et une décélération jusqu’à un nombre de rotations bas ou nul. La direction de la rotation peut être modifiée pour chaque rotation accélérée. De plus, l’axe de germination peut tourner en synchronisation avec la rotation du creuset dans la même direction ou la direction inverse de celle de la rotation du creuset. Le procédé ci-dessus peut être utilisé de manière appropriée pour préparer un monocristal ayant une grande taille et étant dépourvu d’inclusions, de bonne qualité et avec une croissance rapide du cristal.
(JA) SiまたはSi合金融液中にSiCが溶解した溶液にシード軸に固定された種結晶を浸漬し、溶液を徐冷するか、温度勾配を設けることにより種結晶上にSiC単結晶を成長させる、溶液成長法によるSiC単結晶の製造において、所定回転数への加速および保持と低速回転または0回転への減速とを繰り返す坩堝の加速回転を適用する。坩堝の回転方向を各加速ごとに反転させてもよい。さらに、シード軸も、坩堝回転方向と同一または反対方向に、坩堝回転と同期させて回転させてもよい。インクルージョンのない良質で大型の単結晶を高い結晶成長速度で製造される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)