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1. (WO2006025363) シリコン酸化膜の形成方法、半導体装置の製造方法およびコンピュータ記憶媒体
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/025363    国際出願番号:    PCT/JP2005/015727
国際公開日: 09.03.2006 国際出願日: 30.08.2005
IPC:
H01L 21/316 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1078481 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KOBAYASHI, Takashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KITAGAWA, Junichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KOBAYASHI, Takashi; (JP).
KITAGAWA, Junichi; (JP)
代理人: TAKAYAMA, Hiroshi; 7th Floor, Daiichi Shinwa Building 10-8, Akasaka 2-chome Minato-ku, Tokyo 107-0052 (JP)
優先権情報:
2004-253530 31.08.2004 JP
発明の名称: (EN) SILICON OXIDE FILM FORMING METHOD, SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD AND COMPUTER STORAGE MEDIUM
(FR) PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN FILM EN OXYDE DE SILICIUM, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SUPPORT DE MÉMORISATION INFORMATIQUE
(JA) シリコン酸化膜の形成方法、半導体装置の製造方法およびコンピュータ記憶媒体
要約: front page image
(EN)A plasma processing apparatus (100) employing an RLSA system generates plasma by introducing microwaves into a process chamber by a planar antenna having a plurality of slots. In the plasma processing apparatus, polysilicon is oxidized at a pressure of 67-667Pa in the chamber, temperature of 300-600°C, microwave power of 1000-3500W, by using an Ar gas of 100-2000mL/min and O2 gas of 1-500mL/min as process gas and by controlling the rate of the O2 gas to the Ar gas in the process gas at 0.5-5%.
(FR)L'appareil de traitement de plasma décrit (100), employant un système RLSA, génère un plasma en introduisant des micro-ondes dans une chambre de traitement à l'aide d'une antenne en plan ayant une pluralité de fentes. Dans l'appareil de traitement de plasma, du polysilicium est oxydé à une pression de 67 à 667 Pa dans la chambre, à une température de 300 à 600 °C, une énergie des micro-ondes de 1000 à 3500 W, en utilisant un gaz Ar de 100 à 2000 mL/min et un gaz O2 de 1 à 500 mL/min à titre de gaz de traitement et en régulant le taux du gaz O2 par rapport au gaz Ar dans le gaz de traitement de 0,5 à 5 %.
(JA) 複数のスロットを有する平面アンテナにて処理室内にマイクロ波を導入してプラズマを発生させるRLSA方式のプラズマ処理装置100において、チャンバー内圧力67~667Pa、温度300~600°C以下、マイクロ波パワー1000~3500W、処理ガスとして、100~2000mL/minのArガス、1~500mL/minのOガスを用い、かつ、処理ガス中のArガスに対するOガスの割合を0.5~5%に制御しながらポリシリコンの酸化を行なう。  
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)