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1. (WO2006025353) 電界効果トランジスタおよびその製造方法、ならびにそれを用いた電子機器
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/025353    国際出願番号:    PCT/JP2005/015705
国際公開日: 09.03.2006 国際出願日: 30.08.2005
IPC:
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01)
出願人: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TAKEUCHI, Takayuki; (米国のみ).
KAWASHIMA, Takahiro; (米国のみ).
SAITOH, Tohru; (米国のみ).
OKUZAWA, Tomohiro; (米国のみ).
KITAOKA, Yasuo; (米国のみ)
発明者: TAKEUCHI, Takayuki; .
KAWASHIMA, Takahiro; .
SAITOH, Tohru; .
OKUZAWA, Tomohiro; .
KITAOKA, Yasuo;
代理人: KAMADA, Koichi; 7th Fl., TOMOE MARION BLDG., 4-3-1, Nishitenma Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300047 (JP)
優先権情報:
2004-251453 31.08.2004 JP
発明の名称: (EN) FIELD EFFECT TRANSISTOR, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME AND ELECTRONIC DEVICE USING THE FIELD EFFECT TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP, SON PROCÉDÉ DE FABRICATION ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE UTILISANT LE TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP
(JA) 電界効果トランジスタおよびその製造方法、ならびにそれを用いた電子機器
要約: front page image
(EN)A field effect transistor is provided with a semiconductor layer (14); a source electrode (15) and a drain electrode (16) which are electrically connected with the semiconductor layer (14); and a gate electrode (12) for applying electric field to the semiconductor layer (14) between the source electrode (15) and the drain electrode (16). The semiconductor layer (14) includes a plurality of fine wires, which are composed of inorganic semiconductor, and an organic semiconductor material.
(FR)Le transistor à effet de champ décrit est équipé d'une couche semi-conductrice (14); d'une électrode de source (15) et d'une électrode de drain (16) qui sont connectées électriquement à la couche semi-conductrice (14); ainsi que d'une électrode de grille (12) conçue pour appliquer un champ électrique à la couche semi-conductrice (14) entre l'électrode de source (15) et l'électrode de drain (16). La couche semi-conductrice (14) comprend une pluralité de fils fins qui sont composés d'un matériau semi-conducteur inorganique et d'un matériau semi-conducteur organique.
(JA) 半導体層14と、半導体層14に電気的に接続されたソース電極15およびドレイン電極16と、ソース電極15とドレイン電極16との間の半導体層14に電界を印加するためのゲート電極12とを備え、半導体層14が、無機半導体からなる複数の細線と有機半導体材料とを含む。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)