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1. (WO2006025350) 半導体装置及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/025350    国際出願番号:    PCT/JP2005/015702
国際公開日: 09.03.2006 国際出願日: 30.08.2005
IPC:
H01L 21/316 (2006.01)
出願人: THE UNIVERSITY OF TOKYO [JP/JP]; 3-1, Hongo 7-chome, Bunkyo-ku, Tokyo 1130033 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TORIUMI, Akira [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KITA, Koji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TOMIDA, Kazuyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAMAMOTO, Yoshiki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TORIUMI, Akira; (JP).
KITA, Koji; (JP).
TOMIDA, Kazuyuki; (JP).
YAMAMOTO, Yoshiki; (JP)
代理人: INAMI, Minoru; NARUSE, INABA & INAMI, Hanabishi Imas Hirakawacho Building 4th Floor, 3-11, Hirakawacho 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1020093 (JP)
優先権情報:
2004-250393 30.08.2004 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEURS ET SON PROCEDE DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)A gate insulating film having a high dielectric constant, a semiconductor device provided with the gate insulating film, and a method for manufacturing such film and device are provided. The semiconductor device is provided with a group 14 (IVB) semiconductor board and a first oxide layer. The first oxide layer is composed of MO2 existing on the board, where M is a first metal species selected from the group 4 (IVA); and M’xOy, where M’ is a second metal species selected from the group 3 (IIIA) and a group composed of lanthanoides, and x and y are integer numbers decided by the oxidation number of M.
(FR)L'invention porte sur un film d'isolation de grille ayant une constante diélectrique élevée, sur un dispositif à semi-conducteurs pourvu du film d'isolation de grille et sur un procédé de fabrication de ce film et de ce dispositif. Le dispositif à semi-conducteurs est pourvu d'une carte à semi-conducteurs du groupe 14 (IVB) et d'une première couche d'oxyde. La première couche d'oxyde est composée de MO2 existant sur la carte, M étant une première espèce de métal sélectionnée dans le groupe 4 (IVA); et M' xOy où M' est une seconde espèce de métal sélectionnée dans le groupe 3 (IIIA) et un groupe composé de lanthanoïdes, et x et y sont des nombres entiers obtenus par le nombre d'oxydation de M
(JA) 本発明は、高誘電率を有するゲート絶縁膜、該ゲート絶縁膜を備えた半導体装置、及びそれらの製造方法を提供する。本発明は、14(IVB)族半導体基板;及び該基板上に存在するMO(Mは4(IVA)族から選ばれる第1の金属種である)及びM’(M’は3(IIIA)族及びランタノイドからなる群から選ばれる第2の金属種であり、x及びyはMの酸化数によって決まる整数)からなる第1の酸化物層であって高誘電率を有する第1の酸化物層;を有する半導体装置を提供する。  
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)