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1. (WO2006025292) リソグラフィー用現像液組成物とレジストパターン形成方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/025292    国際出願番号:    PCT/JP2005/015611
国際公開日: 09.03.2006 国際出願日: 29.08.2005
IPC:
G03F 7/32 (2006.01), H01L 21/027 (2006.01)
出願人: TOKYO OHKA KOGYO CO., LTD. [JP/JP]; 150, Nakamaruko, Nakahara-ku Kawasaki-shi, Kanagawa 2110012 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KOSHIYAMA, Jun [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
WAKIYA, Kazumasa [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAWADA, Yoshihiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KOSHIYAMA, Jun; (JP).
WAKIYA, Kazumasa; (JP).
SAWADA, Yoshihiro; (JP)
代理人: AGATA, Akira; Agata Patent Office, 3rd Floor, Ikeden Building, 12-5 Shimbashi 2-chome, Minato-ku Tokyo 1050004 (JP)
優先権情報:
2004-254938 01.09.2004 JP
発明の名称: (EN) DEVELOPING SOLUTION COMPOSITION FOR LITHOGRAPHY AND METHOD FOR RESIST PATTERN FORMATION
(FR) COMPOSITION DE SOLUTION DE DÉVELOPPEMENT POUR LITHOGRAPHIE ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE MOTIF DE RÉSERVE
(JA) リソグラフィー用現像液組成物とレジストパターン形成方法
要約: front page image
(EN)This invention provides a novel developing solution composition for lithography, which can efficiently reduce defects without varying the formulation of a resist composition per se and without sacrificing the quality of a resist pattern by the use thereof, and a novel method for resist pattern formation using the developing solution composition, which can reduce the occurrence of defects and can be combined with subsequent specific rinsing liquid treatment to control pattern collapse. The developing solution composition comprises a solution containing an tetraalkylammonium hydroxide and at least one polymer selected from water soluble or alkali soluble polymers comprising monomer constituent units with a nitrogen-containing heterocyclic ring. A resist pattern is formed by the following steps: (1) the step of providing a resist film on a substrate; (2) the step of selectively exposing the resist film through a mask pattern; (3) the step of heating the film after exposure; and (4) the step of developing the film with the above composition.
(FR)La présente invention concerne une nouvelle composition de solution de développement pour lithographie, qui peut réduire efficacement les défauts sans modifier la formulation d'une composition de réserve en elle-même et sans sacrifier la qualité d'un motif de réserve du fait de l'utilisation de celle-ci, ainsi qu'un nouveau procédé de formation de motif de réserve utilisant la composition de solution de développement, qui peut réduire l'apparition de défauts et peut être combiné à un traitement consécutif avec un liquide de rinçage spécifique de façon à contrôler un affaissement de motif. La composition de solution de développement comprend une solution contenant un hydroxyde de tétraalkylammonium et au moins un polymère sélectionné parmi les polymères hydrosolubles ou solubles dans les alcalis, comprenant des unités constituantes monomères ayant un noyau hétérocyclique contenant de l'azote. Un motif de réserve est formé selon les étapes suivantes: (1) l'étape consistant à déposer un film de réserve sur un substrat; (2) l'étape consistant à exposer sélectivement le film de réserve à travers un motif de masque; (3) l'étape consistant à chauffer le film après exposition; et (4) l'étape consistant à développer le film à l'aide de la composition susmentionnée.
(JA) レジスト組成物自体の組成を変えることなく、使用によるレジストパターンの品質低下を伴わず、効率よくディフェクトを減少させうる新規なリソグラフィー用現像液組成物及びそれを用いてディフェクト発生率を減少させ、後続の特定のリンス液による処理と組合せてパターン倒れを制御する新規なレジストパターン形成方法を提供する。テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド、含窒素複素環をもつモノマー構成単位を含む水溶性若しくはアルカリ可溶性ポリマーの中から選ばれた少なくとも1種を含む溶液からなる組成物であって、  (1)基板上にレジスト膜を設ける工程、  (2)該レジスト膜に対しマスクパターンを介して選択的に露光処理する工程、  (3)露光後加熱処理する工程、及び  (4)上記組成物により現像処理する工程 によりレジストパターンを形成する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)