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1. (WO2006025238) 磁場印加式シリコン単結晶の引上げ方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/025238    国際出願番号:    PCT/JP2005/015349
国際公開日: 09.03.2006 国際出願日: 24.08.2005
IPC:
C30B 29/06 (2006.01)
出願人: SUMCO CORPORATION [JP/JP]; 2-1, Shibaura 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058634 (JP) (米国を除く全ての指定国).
FU, Senrin [CN/JP]; (JP) (米国のみ).
ONO, Naoki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: FU, Senrin; (JP).
ONO, Naoki; (JP)
代理人: SHIGA, Masatake; 2-3-1, Yaesu Chuo-ku Tokyo 1048453 (JP)
優先権情報:
2004-255104 02.09.2004 JP
発明の名称: (EN) MAGNETIC FIELD APPLICATION METHOD OF PULLING SILICON SINGLE CRYSTAL
(FR) PROCÉDÉ D’APPLICATION D’UN CHAMP MAGNÉTIQUE POUR LA CROISSANCE D’UN MONOCRISTAL DE SILICIUM
(JA) 磁場印加式シリコン単結晶の引上げ方法
要約: front page image
(EN)A magnetic field application method of pulling silicon single crystal in which silicon melt is stored in a quartz crucible provided in a chamber and applied with a horizontal magnetic field formed by a pair of excitation coils arranged to hold the chamber between. A seed crystal provided at the lower end of a wire cable is immersed into the silicon melt, and the wire cable is pulled while rotating to form a silicon single crystal rod at the lower part of the rising seed crystal. The excitation coil is arranged outside the chamber such that the center of the excitation coil in the vertical direction is located above the surface of the silicon melt. Assuming the depth of the silicon melt is L when pulling of the silicon single crystal rod is started, and the difference between the center of the excitation coil in the vertical direction and the surface of the silicon melt is D, the following relation is satisfied; 0≤D≤10L.
(FR)Cette invention permet de gérer un procédé d’application d’un champ magnétique pour la croissance d’un monocristal de silicium ; ledit procédé consiste à stocker du silicium fondu dans un creuset de quartz situé dans une chambre et à lui appliquer un champ magnétique horizontal créé par une paire de bobines d’excitation disposées autour de la chambre. Un cristal germe situé à l’extrémité inférieure d’un câble est immergé dans le silicium fondu et le câble est étiré tout en pivotant pour former une tige monocristalline de silicium sur la partie inférieure du cristal germe en croissance. La bobine d’excitation est disposée en dehors de la chambre de telle sorte que l’axe vertical de la bobine se trouve au-dessus de la surface du silicium fondu. En supposant que la profondeur du silicium fondu est L lorsque la croissance de la tige monocristalline de silicium a débuté et que la différence entre l’axe vertical de la bobine d’excitation et la surface du silicium fondu est D, on obtient la relation suivante : 0≤D≤10L.
(JA) 本発明は磁場印加式シリコン単結晶の引上げ方法に関する。チャンバ内に設けられた石英るつぼにシリコン融液が貯留され、チャンバを挟むように設けられた一対の励磁コイルにより形成される水平磁場が前記シリコン融液に印加される。ワイヤケーブルの下端に設けられた種結晶を前記シリコン融液に浸し、前記ワイヤケーブルを回転させつつ引上げることにより上昇する前記種結晶の下部にシリコン単結晶棒が形成される。前記励磁コイルの鉛直方向の中心が前記シリコン融液の表面よりも上方になるように前記励磁コイルは前記チャンバの外部に配置される。前記シリコン単結晶棒の引上げ開始時の前記シリコン融液の深さをLとし前記励磁コイルの鉛直方向の中心と前記シリコン融液の表面との差をDとするとき、差Dは0≦D≦10Lを満足する。  
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)