WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2006025164) 半導体装置の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/025164    国際出願番号:    PCT/JP2005/013733
国際公開日: 09.03.2006 国際出願日: 27.07.2005
IPC:
H01L 21/318 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
出願人: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. [JP/JP]; 14-1, Sotokanda 4-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1018980 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TERASAKI, Tadashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OGAWA, Unryu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKAYAMA, Masanori [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TERASAKI, Tadashi; (JP).
OGAWA, Unryu; (JP).
NAKAYAMA, Masanori; (JP)
代理人: MIYAMOTO, Haruhiko; c/o KOYO INTERNATIONAL PATENT AND LAW FIRM 5F., Nikko Kagurazaka Bldg. 18, Iwatocho, shinjuku-ku Tokyo 1620832 (JP)
優先権情報:
2004-252138 31.08.2004 JP
2005-108645 05.04.2005 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT À SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a method for manufacturing a semiconductor device which comprises a film-thinning step for thinning a silicon oxide film, which is formed after etching a silicon substrate surface with a chemical solution, by heating, and a thermal oxidation step for oxidizing the thinned silicon oxide film by heating while using a gas containing at least oxygen or a step for oxidizing the thinned silicon oxide film using a plasma-discharged gas containing at least oxygen.
(FR)Il est décrit un procédé de fabrication d'un composant à semi-conducteur qui comprend une étape d'amincissement de film destinée à amincir par chauffage un film d'oxyde de silicium, lequel est formé après gravure d'une surface de substrat de silicium grâce à une solution chimique, en chauffant, ainsi qu'une étape d'oxydation thermique destinée à oxyder le film d'oxyde de silicium aminci par chauffage tout en utilisant un gaz contenant au moins de l'oxygène, où une étape destinée à oxyder le film d'oxyde de silicium aminci en utilisant un gaz contenant au moins de l'oxygène, éjecté par plasma.
(JA) 半導体装置の製造方法は、シリコン基板表面を薬液によりエッチングした後に形成される酸化珪素膜を加熱して薄膜化させる薄膜化工程と、薄膜化した酸化珪素膜を加熱して、少なくとも酸素を含有するガスにより酸化する熱酸化工程、または薄膜化した酸化珪素膜を、プラズマ放電された少なくとも酸素を含有するガスにより酸化する工程とを有する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)