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1. (WO2006025091) 半導体集積回路
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/025091    国際出願番号:    PCT/JP2004/012489
国際公開日: 09.03.2006 国際出願日: 30.08.2004
予備審査請求日:    31.08.2004    
IPC:
G06F 12/00 (2006.01), G11C 16/02 (2006.01)
出願人: RENESAS TECHNOLOGY CORP. [JP/JP]; 4-1, Marunouchi 2-chome Chiyodaku, Tokyo 1006334 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SHINAGAWA, Yutaka [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KATAOKA, Takeshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ISHIKAWA, Eiichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TANAKA, Toshihiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YANAGISAWA, Kazumasa [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SUZUKAWA, Kazufumi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SHINAGAWA, Yutaka; (JP).
KATAOKA, Takeshi; (JP).
ISHIKAWA, Eiichi; (JP).
TANAKA, Toshihiro; (JP).
YANAGISAWA, Kazumasa; (JP).
SUZUKAWA, Kazufumi; (JP)
代理人: TAMAMURA, Shizuyo; Room 901, Yamashiro Building 1, Kanda Ogawamachi 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 101-0052 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT
(FR) CIRCUIT INTEGRE A SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体集積回路
要約: front page image
(EN)A semiconductor integrated circuit includes a central processing unit and a rewritable nonvolatile memory area disposed in an address space of the central processing unit. The nonvolatile memory area includes first and second nonvolatile memory areas for storing information by utilizing a difference between threshold voltages. The first nonvolatile memory area is so constructed as to have a larger maximum change of the threshold voltage used for information storage than the second nonvolatile memory area. The larger the maximum change of the threshold voltage used for information storage is, the greater the stress on the memory cells due to rewriting of information stored therein is. This is disadvantageous in terms of assurance of the number of rewritings. However, the reading current is larger so that the rate of reading the stored information can be raised. For the first nonvolatile memory area, a priority can be given to raising of the rate of reading the stored information, while for the second nonvolatile memory area, a priority can be given to the assurance of a greater number of rewritings of the stored information.
(FR)L’invention concerne un circuit intégré à semi-conducteur comprenant une unité centrale et une zone de mémoire non volatile réinscriptible disposée dans un espace adresse de l’unité centrale. La zone de mémoire non volatile comprend des première et seconde zones de mémoire non volatile pour stocker des informations en utilisant une différence entre des tensions de seuil. La première zone de mémoire non volatile est construite de sorte à avoir un changement maximal de la tension de seuil utilisée pour le stockage d’informations plus important que celui de la seconde zone de mémoire non volatile. Plus le changement maximal de la tension de seuil utilisée pour le stockage d’informations est important, plus la contrainte sur les cellules de mémoire due à de la réécriture des informations stockées dans celles-ci est forte. Ceci est désavantageux quant à l’assurance du nombre de réécritures. Cependant, le courant de lecture est plus important de sorte que la vitesse de lecture des informations stockées peut être augmentée. Pour la première zone de mémoire non volatile, une priorité peut être donnée à l’augmentation de la vitesse de lecture des informations stockées, tandis que pour la seconde zone de mémoire non volatile, une priorité peut être donnée à l’assurance d’un nombre plus élevé de réécritures des informations stockées.
(JA) 半導体集積回路は、中央処理装置と、中央処理装置のアドレス空間に配置された書き換え可能な不揮発性メモリ領域とを有する。不揮発性メモリ領域は閾値電圧の相違によって情報記憶を行なう第1の不揮発性メモリ領域と第2の不揮発性メモリ領域とを有する。第1の不揮発性メモリ領域は第2の不揮発性メモリ領域に比べて情報記憶のための閾値電圧の最大変化幅が大きくされる。情報記憶のための閾値電圧の最大変化幅が大きければ、記憶情報の書き換えによるメモリセルに対するストレスは大きくなるので書き換え回数の保証という点では劣るが、読出し電流が大きくなり、記憶情報の読出し速度を高速化することができる。第1の不揮発性メモリ領域には記憶情報の読出し速度を高速化することを優先させることができ、第2の不揮発性メモリ領域には記憶情報の書き換え回数を多く保証することを優先させることができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)