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1. (WO2006025083) 半導体装置、半導体装置の試験方法およびデータ書き込み方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/025083    国際出願番号:    PCT/JP2004/012475
国際公開日: 09.03.2006 国際出願日: 30.08.2004
予備審査請求日:    09.06.2006    
IPC:
G11C 16/06 (2006.01)
出願人: SPANSION LLC [US/US]; One AMD Place P.O. Box 3453 Sunnyvale, CA 94088-3453 (US) (米国を除く全ての指定国).
SPANSION JAPAN LIMITED [JP/JP]; 6, Kogyodanchi, Monden-machi Aizuwakamatsu-shi, Fukushima 9650845 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAKAGAWA, Harunobu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
AOKI, Minoru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAMADA, Shigekazu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NAKAGAWA, Harunobu; (JP).
AOKI, Minoru; (JP).
YAMADA, Shigekazu; (JP)
代理人: KATAYAMA, Shuhei; Mitsui Sumitomo Marine Tepco Building 6-1, Kyobashi 1-chome Chuo-ku, Tokyo 1040031 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR DEVICE TESTING METHOD, AND DATA WRITING METHOD
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR, PROCEDE D'ESSAI DE DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR ET PROCEDE D'ECRITURE DE DONNEES
(JA) 半導体装置、半導体装置の試験方法およびデータ書き込み方法
要約: front page image
(EN)A semiconductor device capable of finding an optimum condition of the write voltage. The semiconductor device includes a latch circuit for latching an externally inputted signal during a test mode; and a generator circuit for generating, in accordance with the signal latched by the latch circuit, a signal that defines a write voltage used for the writing into memory cells. The generator circuit includes a circuit for generating a signal that defines an initial version of the write voltage; a circuit for generating a signal that defines the pulse width of the write voltage; and a circuit for generating a signal that defines the step width of the write voltage when the write voltage increases in steps. This can find an optimum condition of the write voltage and realize a precise write operation.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur susceptible de trouver une condition optimale de la tension d'écriture. Le dispositif à semi-conducteur comprend un circuit à verrouillage pour verrouiller un signal entré de l'extérieur pendant un mode d'essai; et un circuit à générateur pour générer, selon le signal verrouillé par le circuit à verrouillage, un signal qui définit une tension d'écriture utilisée pour l'écriture dans des cellules de mémoire. Le circuit à générateur comprend un circuit pour générer un signal qui définit une version initiale de la tension d'écriture; un circuit pour générer un signal qui définit la largeur d'impulsion de la tension d'écriture; et un circuit pour générer un signal qui définit la largeur de pas de la tension d'écriture lorsque la tension d'écriture augmente par pas. La présente invention permet de trouver une condition optimale de la tension d'écriture et de réaliser une opération d'écriture précise.
(JA) 書き込み電圧の最適条件を見付けることができる半導体装置を提供する。半導体装置は、試験モード時、外部から入力された信号をラッチするラッチ回路と、ラッチ回路にラッチされた信号に応じて、メモリセルへの書き込み時に用いる書き込み電圧を規定する信号を生成する生成回路とを含む。また、生成回路は、書き込み電圧の初期電圧を規定する信号を生成する回路と、書き込み電圧のパルス幅を規定する信号を生成する回路と、書き込み電圧がステップ状に増加する書き込み電圧である場合、書き込み電圧のステップ幅を規定する信号を生成する回路とを含む。これにより、書き込み電圧の最適条件を見付けることができ、精密な書き込み動作を実現することができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)