WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2006022453) GaN系電界効果トランジスタおよびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/022453    国際出願番号:    PCT/JP2005/016065
国際公開日: 02.03.2006 国際出願日: 26.08.2005
予備審査請求日:    07.12.2005    
IPC:
H01L 21/338 (2006.01), H01L 29/812 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01)
出願人: National Institute of Information and Communications Technology, Incorporated Administrative Agency [JP/JP]; 4-2-1, Nukui-Kitamachi Koganei-shi, Tokyo 1848795 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HIGASHIWAKI, Masataka [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HIGASHIWAKI, Masataka; (JP)
代理人: KOBAYASHI, Hiroshi; c/o ABE, IKUBO & KATAYAMA Fukuoka Bldg. 9th Fl. 8-7, Yaesu 2-chome Chuo-ku, Tokyo 1040028 (JP)
優先権情報:
2004-249297 27.08.2004 JP
発明の名称: (EN) GaN-BASED FIELD EFFECT TRANSISTOR AND PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP À BASE DE GALLIUM-NITRURE ET SA MÉTHODE DE PRODUCTION
(JA) GaN系電界効果トランジスタおよびその製造方法
要約: front page image
(EN)A GaN-based hetero-junction transistor capable of accomplishing higher output, higher withstand voltage, higher speed, higher frequency and the like. A hetero-junction-structure field effect transistor including a channel layer (4) of GaN and a barrier layer (6) of AlGaN, wherein the surface of a transistor element has an insulation film (10).
(FR)Transistor à hétéro-jonction à base de gallium-nitrure apte à obtenir une sortie plus élevée, une tension de résistance plus élevée, une plus grande vitesse, une plus grande fréquence et ainsi de suite. Transistor à effet de champ à structure à hétéro-jonction comprenant une couche canal (4) de gallium-nitrure et une couche barrière (6) d'AlGaN, dans laquelle la surface d'un élément de transistor comporte un film isolant (10).
(JA)本発明は、高出力、高耐圧、高速、高周波化などを達成し得るGaN系ヘテロ接合トランジスタを提供することを目的とする。上記課題は、GaNからなるチャネル層(4)とAlGaNからなる障壁層(6)と含むヘテロ構造を有する電界効果トランジスタであって、トランジスタ素子表面に絶縁膜(10)を有する電界効果トランジスタなどにより解決される。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)