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1. (WO2006022326) 高誘電体膜、この高誘電体膜を用いた電界効果トランジスタおよび半導体集積回路装置ならびに高誘電体膜の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/022326    国際出願番号:    PCT/JP2005/015429
国際公開日: 02.03.2006 国際出願日: 25.08.2005
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 21/318 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
出願人: TAIYO NIPPON SANSO CORPORATION [JP/JP]; 3-26, Koyama 1-chome, Shinagawa-ku, Tokyo 1428558 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KAWAHARA, Takaaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TORII, Kazuyoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
INOUE, Minoru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HASAKA, Satoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KAWAHARA, Takaaki; (JP).
TORII, Kazuyoshi; (JP).
INOUE, Minoru; (JP).
HASAKA, Satoshi; (JP)
代理人: SHIGA, Masatake; 2-3-1, Yaesu Chuo-ku Tokyo 1048453 (JP)
優先権情報:
2004-248583 27.08.2004 JP
発明の名称: (EN) HIGHLY DIELECTRIC FILM, AND UTILIZING THE SAME, FIELD-EFFECT TRANSISTOR AND SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT APPARATUS, AND PROCESS FOR PRODUCING THE HIGHLY DIELECTRIC FILM
(FR) FILM EXTRÊMEMENT DIÉLECTRIQUE, ET UTILISANT LEDIT FILM, TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP ET APPAREIL À CIRCUIT INTÉGRÉ SEMI-CONDUCTEUR, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DU FILM EXTRÊMEMENT DIÉLECTRIQUE
(JA) 高誘電体膜、この高誘電体膜を用いた電界効果トランジスタおよび半導体集積回路装置ならびに高誘電体膜の製造方法
要約: front page image
(EN)A highly dielectric film comprising hafnium, characterized in that deuterium is contained at a ratio higher than that between deuterium and hydrogen present in nature. Further, there is provided a field-effect transistor comprising a gate insulating film constituted of a highly dielectric film comprising hafnium, wherein any interface level density at an interface between the gate insulating film and a silicon substrate is reduced so as to increase a carrier mobility in the gate insulating film. A second insulating film of high dielectric constant containing deuterium at a ratio higher than that between deuterium and hydrogen present in nature is applied as a gate insulating film of field-effect transistor to a hafnium-containing thin film of HfSiON, HfAlOx, etc.
(FR)L’invention porte sur un film extrêmement diélectrique comprenant de l’hafnium caractérisé en ce que du deutérium est contenu en un rapport supérieur à celui existant entre le deutérium et l’hydrogène présent dans la nature. En outre, l’invention porte sur un transistor à effet de champ comprenant un film isolant à grille constitué d’un film extrêmement diélectrique comprenant de l’hafnium, où toute densité au niveau d’une interface entre le film isolant à grille et un substrat de silicium est réduite pour augmenter une mobilité de porteuse dans le film isolant à grille. Un second film isolant de constante diélectrique élevée contenant du deutérium en un rapport supérieur à celui existant entre le deutérium et l’hydrogène présent dans la nature est appliqué comme film isolant à grille d’un transistor à effet de champ à un film mince contenant de l’hafnium de HfSiON, HfAlOx, etc.
(JA) 本発明は、ハフニウムを含む高誘電体膜であって、前記高誘電体膜には、自然界に存在する重水素と水素との比率よりも大きな比率で重水素が含まれていることを特徴とする高誘電体膜である。ハフニウムを含む高誘電体膜からなるゲート絶縁膜を備えた電界効果トランジスタにおいて、シリコン基板とゲート絶縁膜との界面における界面準位密度を低減し、ゲート絶縁膜におけるキャリアの移動度を高める。本発明では、HfSiONまたはHfAlOなどのハフニウムを含む薄膜に対して、自然界に存在する重水素と水素との比率よりも大きな比率で重水素を含有させた高誘電率の第2絶縁膜を電界効果トランジスタのゲート絶縁膜として使用する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)