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1. (WO2006022287) サージ保護用半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/022287    国際出願番号:    PCT/JP2005/015334
国際公開日: 02.03.2006 国際出願日: 24.08.2005
予備審査請求日:    25.05.2006    
IPC:
H01L 29/866 (2006.01), H01L 21/822 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01), H01L 21/329 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01)
出願人: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OHNISHI, Kazuhiro; (米国のみ)
発明者: OHNISHI, Kazuhiro;
代理人: IKEUCHI SATO & PARTNER PATENT ATTORNEYS; 26th Floor, OAP TOWER, 8-30, Tenmabashi 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 530-6026 (JP)
優先権情報:
2004-248830 27.08.2004 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE FOR SURGE PROTECTION
(FR) DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR PROTEGEANT DES SURTENSIONS
(JA) サージ保護用半導体装置
要約: front page image
(EN)A semiconductor device having a high surge resistance is provided for surge protection. A semiconductor substrate (10) included in the semiconductor device for surge protection includes a high concentration first conductivity type semiconductor substrate (1), a low concentration first conductivity type semiconductor layer (2), a high concentration first conductivity type semiconductor layer (4), a second conductivity type semiconductor layer (3), and a cylindrical low concentration second conductivity type semiconductor layer (5) which extends into the low concentration first conductivity type semiconductor layer (2) from its surface, sharing an axis line with the high concentration first conductivity type semiconductor layer (4), and has an interface (J4) with the high concentration first conductivity type semiconductor layer (4) and an interface (J5) with the second conductivity type semiconductor layer (3). The impurity concentration of the low concentration second conductivity type semiconductor layer (5) is lower than that of the second conductivity type semiconductor layer (3).
(FR)L’invention concerne un dispositif à semiconducteur présentant une grande résistance aux surtensions, destiné à assurer une protection contre les surtensions. Un substrat en semiconducteur (10) incorporé dans le dispositif à semiconducteur protégeant des surtensions comporte un substrat en semiconducteur de type à forte concentration et première conductivité (1), une couche en semiconducteur de type à faible concentration et première conductivité (2), une couche en semiconducteur de type à forte concentration et première conductivité (4), une couche en semiconducteur de type à deuxième conductivité (3) et une couche en semiconducteur cylindrique de type à faible concentration et deuxième conductivité (5) se prolongeant dans la couche en semiconducteur de type à faible concentration et première conductivité (2) par sa surface, en partageant une ligne axiale avec la couche en semiconducteur de type à forte concentration et première conductivité (4), et présente une interface (J4) avec la couche en semiconducteur de type à forte concentration et première conductivité (4) et une interface (J5) avec la couche en semiconducteur de type à deuxième conductivité (3). La concentration d’impuretés dans la couche en semiconducteur de type à faible concentration et deuxième conductivité (5) est inférieure à celle de la couche en semiconducteur de type à deuxième conductivité (3).
(JA) 耐サージ性の高いサージ保護用半導体装置を提供する。  本発明のサージ保護用半導体装置に含まれる半導体基板(10)は、高濃度第一導電型半導体基板(1)と、低濃度第一導電型半導体層(2)と、高濃度第一導電型半導体層(4)と、第二導電型半導体層(3)と、低濃度第一導電型半導体層(2)の表面から低濃度第一導電型半導体層(2)の層内に高濃度第一導電型半導体層(4)と軸線を共有するように延在し、且つ高濃度第一導電型半導体層(4)との界面(J4)及び第二導電型半導体層(3)との界面(J5)を有する円筒状の低濃度第二導電型半導体層(5)とを含む。また、低濃度第二導電型半導体層(5)の不純物濃度が、第二導電型半導体層(3)の不純物濃度より低い。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)