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1. (WO2006022282) 炭化ケイ素単結晶ウェハ及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/022282    国際出願番号:    PCT/JP2005/015324
国際公開日: 02.03.2006 国際出願日: 24.08.2005
予備審査請求日:    17.05.2006    
IPC:
C30B 29/36 (2006.01), C23C 16/42 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01)
出願人: BRIDGESTONE CORPORATION [JP/JP]; 10-1, Kyobashi 1-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048340 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MARUYAMA, Takayuki; (米国のみ).
CHIBA, Toshimi; (米国のみ)
発明者: MARUYAMA, Takayuki; .
CHIBA, Toshimi;
代理人: MIYOSHI, Hidekazu; Toranomon Kotohira Tower, 2-8, Toranomon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 105-0001 (JP)
優先権情報:
2004-243913 24.08.2004 JP
2004-338063 22.11.2004 JP
発明の名称: (EN) SILICON CARBIDE SINGLE CRYSTAL WAFER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
(FR) PLAQUETTE CRISTALLINE SIMPLE EN CARBURE DE SILICIUM ET PROCEDE DE FABRICATION DE CELLE-CI
(JA) 炭化ケイ素単結晶ウェハ及びその製造方法
要約: front page image
(EN)A method for manufacturing a silicon carbide single crystal wafer is provided for improving the utilization ratio of a bulk silicon carbide crystal, element characteristics and cleavage. A silicon carbide single crystal wafer manufactured by such manufacturing method is also provided. The &agr; type (hexagonal) silicon carbide single crystal wafer is characterized in that the surface is a homoepitaxially grown plane having a surface roughness of 2nm or less and an off angle from a plane (0001)c is 0.4° or less.
(FR)L’invention porte sur un procédé de fabrication d’une plaquette cristalline simple en carbure de silicium pour améliorer le taux d’utilisation d’un cristal de carbure de silicium brut, les caractéristiques d’élément et le clivage. L’invention porte également sur une plaquette cristalline simple en carbure de silicium fabriquée selon un tel procédé. La plaquette cristalline simple en carbure de silicium de type &agr; (hexagonal) est caractérisée en ce que la surface est un plan de croissance homoépitaxiale avec une rugosité de surface inférieure ou égale à 2nm et un angle de décalage par rapport à un plan (0001)c inférieur ou égal à 0,4°.
(JA) バルク炭化ケイ素単結晶の利用率の向上と素子特性の向上、さらに劈開性の向上を図ることができる炭化ケイ素単結晶ウェハの製造方法及びその製造方法により得られた炭化ケイ素単結晶ウェハを提供する。表面が表面粗さ2nm以下のホモエピタキシャル成長面で(0001)c面からのオフ角が0.4度以下であることを特徴とするα型(六方晶)炭化ケイ素単結晶ウェハ。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)