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1. (WO2006022245) pn接合を有する化合物半導体エピタキシャル基板の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/022245    国際出願番号:    PCT/JP2005/015248
国際公開日: 02.03.2006 国際出願日: 23.08.2005
IPC:
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/205 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01)
出願人: SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED [JP/JP]; 27-1, Shinkawa 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1048260 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KOHIRO, Kenji [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
UEDA, Kazumasa [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HATA, Masahiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KOHIRO, Kenji; (JP).
UEDA, Kazumasa; (JP).
HATA, Masahiko; (JP)
代理人: ASAMURA, Kiyoshi; Room 331, New Ohtemachi Bldg., 2-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
優先権情報:
2004-243413 24.08.2004 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR PRODUCING COMPOUND SEMICONDUCTOR EPITAXIAL SUBSTRATE HAVING PN JUNCTION
(FR) PROCÉDÉ POUR LA FABRICATION D’UN SUBSTRAT ÉPITAXIAL SEMI-CONDUCTEUR COMPOSÉ AYANT UNE JONCTION PN
(JA) pn接合を有する化合物半導体エピタキシャル基板の製造方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a method for producing a compound semiconductor epitaxial substrate having a pn junction by selective growth which is characterized by using a base substrate having an average residual strain of not more than 1.0 × 10-5.
(FR)La présente invention décrit un procédé pour la fabrication d’un substrat épitaxial semi-conducteur composé ayant une jonction pn par croissance sélective qui est caractérisé par l'utilisation d'un substrat de base ayant une souche résiduelle moyenne d’au plus 1,0 x 10-5.
(JA) pn接合を有する化合物半導体エピタキシャル基板を選択成長法により製造する方法であって、残留歪の平均値が1.0×10-5以下である元基板を用いることを特徴とする上記方法。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)