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1. (WO2006019157) 半導体素子及びその製造方法

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/019157    国際出願番号:    PCT/JP2005/015138
国際公開日: 23.02.2006 国際出願日: 19.08.2005
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/316 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/00 (2006.01)
出願人: NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY [JP/JP]; 3-1, Kasumigaseki 1-chome, Chiyoda-ku Tokyo 1008921 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KAMATA, Toshihide [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KOZASA, Takehito [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KAMATA, Toshihide; (JP).
KOZASA, Takehito; (JP)
2004-240185 20.08.2004 JP
(JA) 半導体素子及びその製造方法
要約: front page image
(EN)This invention provides a thin film transistor element, which can be produced with excellent molding and fabrication properties, particularly a thin film transistor element in which a plastic having plasticity is provided as a substrate, an organic semiconductor is used in an active layer, and an SiO2 thin film formed by coating is used in a sealing layer and a gate insulating layer, and process for producing the same. The thin film transistor is a field-effect transistor comprising an organic semiconductor as an active layer and comprises a plastic substrate having plasticity, a sealing layer formed of an SiO2 thin film formed by coating provided on the plastic substrate, a gate electrode, a gate insulating layer formed of an SiO2 thin film formed by coating, gate and drain electrodes, and a semiconductor active layer. A high-quality SiO2 thin film can be produced by providing a silicon compound as a starting compound, coating this solution to form a thin film and exposing the thin film to light in an oxygen atmosphere.
(FR)Cette invention concerne un élément transistor à film mince, qui peut être produit avec d'excellentes propriétés de moulage et de fabrication, particulièrement un élément transistor à film mince dans lequel un plastique ayant une plasticité est disposé comme substrat, un semi-conducteur organique est utilisé dans une couche active et un film mince de SiO2 formé par revêtement est utilisé dans une couche de scellage et une couche d'isolation barrière et le processus de production correspondant. Le transistor à film mince est un transistor à effet de champ comprenant un semi-conducteur organique comme couche active et comprend un substrat plastique ayant une plasticité, une couche de scellage formée d'un film mince de SiO2 constitué par revêtement disposé sur le substrat plastique, une électrode barrière, une couche d'isolation barrière formée d'un film mince de SiO2 constitué par revêtement, des électrodes barrière et déversoir et une couche active semi-conductrice. Un film mince de SiO2 de haute qualité peut être produit en fournissant un composé de silicium comme composé de départ, en déposant cette solution pour former un film mince et en exposant le film mince à la lumière dans une atmosphère oxygénée.
(JA) 本願発明は、成形・加工性に優れた薄膜トランジスタ、特に、基板に可塑性を有するプラスチック、活性層に有機半導体を用い、封止層ならびにゲート絶縁層には塗設により形成されるSiO薄膜を用いた薄膜トランジスタ素子およびその製造方法を提供するものである。  本願発明によれば、活性層が有機半導体で構成される電界効果型トランジスタにあって、可塑性を有するプラスチック基板上に、塗設により形成されるSiO薄膜で構成される封止層、ゲート電極、塗設により形成されるSiO薄膜で構成されるゲート絶縁層、ゲートおよびドレイン電極、半導体活性層によって構成される薄膜トランジスタが提供される。高品質なSiO薄膜は、ケイ素化合物を原料とし、その溶液を塗布薄膜化したものを酸素雰囲気下光照射することにより得ることができる。  
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)