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1. (WO2006019133) 有機積層膜を形成するための塗液、電界効果トランジスタの製造方法、および電界効果トランジスタ
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/019133    国際出願番号:    PCT/JP2005/015063
国際公開日: 23.02.2006 国際出願日: 18.08.2005
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/312 (2006.01), H01L 21/368 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01)
出願人: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma Kadoma-shi Osaka 571-8501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NAKAGAWA, Tohru; (米国のみ)
発明者: NAKAGAWA, Tohru;
代理人: KAMADA, Koichi; 7th Fl., TOMOE MARION Bldg. 4-3-1, Nishitenma Kita-ku, Osaka-shi Osaka 530-0047 (JP)
優先権情報:
2004-240468 20.08.2004 JP
発明の名称: (EN) COATING LIQUID FOR FORMING ORGANIC MULTILAYER FILM, METHOD FOR MANUFACTURING FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND FIELD EFFECT TRANSISTOR
(FR) LIQUIDE DE REVÊTEMENT POUR FORMATION DE FILM MULTICOUCHE ORGANIQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D’UN TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP ET TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP
(JA) 有機積層膜を形成するための塗液、電界効果トランジスタの製造方法、および電界効果トランジスタ
要約: front page image
(EN)Disclosed is a method for manufacturing a field effect transistor which comprises a step for applying a coating liquid (20) containing a solvent (13) and first and second organic molecules (11, 12) dissolved in the solvent (13), and a step for forming a first layer mainly containing the first organic molecules (11) and a second layer adjacent to the first layer and mainly containing the second organic molecules (12) by removing the solvent (13) from the applied coating liquid (20). The first organic molecules (11) are composed of a semiconductor material or a precursor of a semiconductor material, while the second organic molecules (12) are composed of an insulating material or a precursor of an insulating material. The first organic molecules (11) and the second organic molecules (12) are not compatible with each other
(FR)L’invention porte sur un procédé de fabrication d’un transistor à effet de champ comprenant une phase d’application d’un liquide de revêtement (20) contenant un solvant (13) et des premières et secondes molécules organiques (11, 12) dissoutes dans le solvant (13), et une phase de formation d’une première couche contenant principalement les premières molécules organiques (11) et d’une seconde couche adjacente à la première couche et contenant principalement les secondes molécules organiques (12) en supprimant le solvant (13) du liquide de revêtement appliqué (20). Les premières molécules organiques (11) se composent d’un matériau semi-conducteur ou d’un précurseur d’un matériau semi-conducteur, tandis que les secondes molécules organiques (12) se composent d’un matériau isolant ou d’un précurseur d’un matériau isolant. Les premières molécules organiques (11) et les secondes molécules organiques (12) ne sont pas compatibles les unes avec les autres.
(JA) 本発明の電界効果トランジスタの製造方法は、溶媒13と、溶媒13に溶解された第1および第2の有機分子11および12とを含む塗液20を塗布する工程と、塗布された塗液20中の溶媒13を除去することによって、第1の有機分子11を主成分とする第1の層と、第1の層に隣接し、第2の有機分子12を主成分とする第2の層とを形成する工程とを含む。第1の有機分子11は、半導体材料または半導体材料の前駆体であり、第2の有機分子12は、絶縁体材料または絶縁体材料の前駆体である。第1の有機分子11と第2の有機分子12とは互いに相溶性が無い。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)