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World Intellectual Property Organization
1. (WO2006018974) 半導体装置およびその製造方法

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/018974    国際出願番号:    PCT/JP2005/014208
国際公開日: 23.02.2006 国際出願日: 03.08.2005
H01L 21/8234 (2006.01), H01L 27/088 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01), H01L 27/092 (2006.01), H01L 27/08 (2006.01), H01L 21/76 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
出願人: ROHM CO., LTD. [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YAMANAKA, Takamitsu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YAMANAKA, Takamitsu; (JP)
代理人: INAOKA, Kosaku; c/o AI Association of Patent and Trademark Attorneys Sun Mullion NBF Tower, 21st Floor 6-12, Minamihommachi, 2-chome Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410054 (JP)
2004-237207 17.08.2004 JP
2004-237208 17.08.2004 JP
2004-237209 17.08.2004 JP
2004-237210 17.08.2004 JP
2004-237211 17.08.2004 JP
(JA) 半導体装置およびその製造方法
要約: front page image
(EN)A semiconductor device is provided by forming a first element and a second element having different withstand voltages on a semiconductor substrate. More specifically, the semiconductor device includes the semiconductor substrate; a first region, which is a region on the semiconductor substrate, and has a first element forming region isolated by an element isolating part wherein an insulating material is embedded in a trench formed on the semiconductor substrate; a first element formed on the first element forming region; a second region, which is a region different from the first region on the semiconductor substrate and has a second element forming region; and a second element, which is formed on the second element forming region, has a drift-drain structure wherein an LOCOS oxide film thicker than a gate insulating film is arranged on an edge part of a gate electrode, and has a higher withstand voltage than that of the first element.
(FR)Dispositif semi-conducteur fourni par la formation d’un premier élément et d’un second élément ayant des tensions de retenue différentes sur un substrat semi-conducteur. Plus spécifiquement, le dispositif semi-conducteur inclut le substrat semi-conducteur; une première zone, située sur le substrat semi-conducteur, qui a une zone de formation du premier élément, isolée par un élément isolant incorporant un matériau isolant dans une tranchée formée sur le substrat semi-conducteur: un premier élément formé sur la zone de formation du premier élément ; une seconde zone, différente de la première zone du substrat semi-conducteur et qui a une zone de formation du deuxième élément; et un second élément, formé sur la zone de formation du deuxième élément et qui a une structure de drainage de dérivation au sein de laquelle une couche d’oxyde de procédé LOCOS, plus épaisse qu’une couche d’isolation du portillon électronique, est disposée sur une partie latérale d’une électrode grille, et dont la tension de retenue est supérieure à celle du premier élément.
(JA) この半導体装置は、耐圧の異なる第1素子および第2素子を半導体基板上に形成したものである。より具体的には、この半導体装置は、半導体基板と、この半導体基板上の領域であって、この半導体基板に形成されたトレンチ内に絶縁物を埋め込んだ素子分離部によって分離された第1素子形成領域を有する第1領域と、前記第1素子形成領域に形成された第1素子と、前記半導体基板上の上記第1領域とは別の領域であって、第2素子形成領域を有する第2領域と、前記第2素子形成領域に形成され、ゲート電極のエッジ部にゲート絶縁膜よりも厚いLOCOS酸化膜を配置したドリフト・ドレイン構造を有し、前記第1素子よりも高耐圧の第2素子とを含む。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)