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1. (WO2006018960) 現像処理方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/018960    国際出願番号:    PCT/JP2005/013931
国際公開日: 23.02.2006 国際出願日: 29.07.2005
IPC:
H01L 21/027 (2006.01), G03F 7/40 (2006.01)
出願人: TOKYO ELECTRON LIMITED [JP/JP]; 3-6, Akasaka 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1078481 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KITANO, Junichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KITANO, Junichi; (JP)
代理人: TAKAYAMA, Hiroshi; 7th Floor, Daiichi Shinwa Building 10-8, Akasaka 2-chome Minato-ku, Tokyo 107-0052 (JP)
優先権情報:
2004-238488 18.08.2004 JP
発明の名称: (EN) DEVELOPING METHOD
(FR) MÉTHODE DE DÉVELOPPEMENT
(JA) 現像処理方法
要約: front page image
(EN)A wafer (W) having a resist film exposed with a certain pattern is developed using a certain developer liquid, and then a first rinsing liquid containing a certain surfactant is supplied to the wafer (W) for rinsing. Next, a chemical liquid containing a crosslinking agent for curing the resist pattern is supplied onto the wafer (W) and the surface of the wafer (W) is irradiated with a high energy beam, thereby curing the resist film by the synergistic effect between the crosslinking agent and the high energy beam. Following that, an inert liquid having a higher specific gravity than the chemical liquid is supplied to the wafer (W) and the resulting is left stand for a certain time so that the resist film is immersed in the inert liquid settling down. The wafer (W) is then subjected to spin drying.
(FR)Une galette (W) avec film protecteur exposé suivant un certain modèle est développée en utilisant un certain liquide de développement, et un premier liquide de rinçage contenant un certain surfactant est alimenté vers la galette (W) pour le rinçage. Puis, un liquide chimique contenant un agent de réticulation pour le traitement du modèle protecteur est dirigé vers la galette (W) et la surface de la galette (W) est irradiée par un rayon de forte intensité, traitant ainsi la modèle protecteur par l'effet de synergie entre l'agent de réticulation et le rayon de forte intensité. Ensuite, un liquide inerte ayant une densité plus élevée que le liquide chimique est envoyé sur la galette (W) et ce qui en résulte est laissé au repos pendant un certain temps de façon que le film protecteur soit immergé dans le liquide inerte qui se décante. La galette (W) est ensuite soumise à un essorage.
(JA) レジスト膜が所定のパターンで露光処理され、かつ、その後に所定の現像液で現像処理されたウエハWに、所定の界面活性剤を含有する第1リンス液を供給してリンス処理を行い、次いでレジストパターンを硬化させるための架橋剤を含む薬液を供給し、ウエハWの表面に所定の高エネルギー線を照射して、架橋剤と高エネルギー線の照射の相乗作用によってレジスト膜を硬化させる。その後、この薬液よりも比重が大きい不活性液体をウエハWに供給し、レジスト膜がこの不活性液体に浸されるように、所定時間放置して不活性液体を沈降させ、その後にスピン乾燥を行う。  
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)