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1. (WO2006018939) 半導体装置およびそれを用いた電源装置、ならびに電子機器
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/018939    国際出願番号:    PCT/JP2005/012550
国際公開日: 23.02.2006 国際出願日: 07.07.2005
IPC:
H01L 21/82 (2006.01), H01L 21/822 (2006.01), H01L 23/12 (2006.01), H01L 27/04 (2006.01)
出願人: ROHM CO., LTD [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-cho, Ukyo-ku, Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP) (米国を除く全ての指定国).
ISHINO, Tsutomu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: ISHINO, Tsutomu; (JP)
代理人: MORISHITA, Sakaki; 2-11-12, Ebisu-Nishi Shibuya-ku, Tokyo 1500021 (JP)
優先権情報:
2004-240382 20.08.2004 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, POWER SUPPLY APPARATUS USING THE SAME, AND ELECTRONIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR, APPAREIL D’ALIMENTATION L’UTILISANT ET DISPOSITIF ELECTRONIQUE
(JA) 半導体装置およびそれを用いた電源装置、ならびに電子機器
要約: front page image
(EN)A semiconductor device wherein diffractions of noise signals are reduced. A semiconductor device (100), which is of a BGA structure, has a plurality of electrode terminals for inputting/outputting signals from/to the exterior, those electrode terminals being arranged in a matrix. The semiconductor device (100) includes a noise generating source electrode terminal (10) and low-impedance electrode terminals (12,14) for inputting/outputting signals. The noise generating source electrode terminal (10) receives and outputs signals that are noise generating sources. The low-impedance electrode terminals (12) are horizontally or vertically adjacent to the noise generating source electrode terminal (10). The low-impedance electrode terminals (14) are obliquely adjacent to the noise generating source electrode terminal (10). In order for the low-impedance electrode terminals (12,14) to have low impedances, each of these terminals is connected to a ground potential or connected thereto via a capacitor having a large capacitance value. If necessary, low-impedance electrode terminals (12',14') are also provided around a electrode terminal (18) used for a signal having a low noise-immunity.
(FR)L’invention concerne un dispositif à semiconducteur caractérisé par une réduction des diffractions des signaux de bruit. Le dispositif à semiconducteur (100) selon l’invention est une structure BGA possédant une pluralité de bornes d’électrode pour l’entrée/la sortie de signaux en provenance/à destination de l’extérieur, ces bornes d’électrode étant agencées dans une matrice. Le dispositif à semiconducteur (100) comporte une borne d’électrode de sources génératrices de bruit (10) et des bornes d’électrode à faibles impédances (12,14) pour l’entrée/la sortie de signaux. La borne d’électrode de sources génératrices de bruit (10) reçoit et fournit des signaux constituant des sources génératrices de bruit. Les bornes d’électrode à faibles impédances (12) sont horizontalement ou verticalement adjacentes à la borne d’électrode de sources génératrices de bruit (10). Les bornes d’électrode à faibles impédances (14) sont obliquement adjacentes à la borne d’électrode de sources génératrices de bruit (10). Pour faire en sorte que les bornes d’électrode à faibles impédances (12,14) présentent de faibles impédances, chacune de ces bornes est raccordée à un potentiel de masse ou y est raccordée par le biais d’un condensateur doté d’une grande capacité. Au besoin, des bornes d’électrode à faibles impédances (12',14') sont également montées autour d’une borne d’électrode (18) utilisée pour un signal à faible tenue au bruit.
(JA) ノイズ信号の回り込みを低減した半導体装置の提供する。  半導体装置100はBGA構造を有し、外部と信号の入出力を行うための複数の電極端子がマトリクス状に設けられている。半導体装置100は信号を入出力するためのノイズ発生源電極端子10、低インピーダンス電極端子12、14を含む。ノイズ発生源電極端子10には、ノイズの発生源となる信号が入出力される。低インピーダンス電極端子12は、ノイズ発生源電極端子10と縦又は横方向に隣接する。また低インピーダンス電極端子14は、ノイズ発生源電極端子10と斜め方向に隣接する。低インピーダンス電極端子12、14を低インピーダンスとするために、これらの端子は、接地電位に接続され、あるいは容量値の大きなコンデンサを介して接地電位と接続される。必要に応じ、ノイズ耐性の低い信号用電極端子18の周囲にも低インピーダンスの電極端子12’、14’を配置する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)