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1. (WO2006018925) 半導体集積装置並びにそれを用いたICカード及び携帯情報端末
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/018925    国際出願番号:    PCT/JP2005/010396
国際公開日: 23.02.2006 国際出願日: 07.06.2005
IPC:
G11C 16/06 (2006.01), G06F 12/16 (2006.01), G06K 19/07 (2006.01)
出願人: RENESAS TECHNOLOGY CORP. [JP/JP]; 4-1, Marunouchi 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1006334 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OONISHI, Tadashi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAMAZOE, Takanori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KAWAJIRI, Yoshiki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OONISHI, Tadashi; (JP).
YAMAZOE, Takanori; (JP).
KAWAJIRI, Yoshiki; (JP)
代理人: OGAWA, Katsuo; 8th Floor No.17 Arai Building 3-3, Shinkawa 1-chome Chuo-ku, Tokyo 1040033 (JP)
優先権情報:
2004-240553 20.08.2004 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR INTEGRATED DEVICE, AND IC CARD AND PORTABLE INFORMATION TERMINAL USING THE SEMICONDUCTOR INTEGRATED DEVICE
(FR) DISPOSITIF INTEGRE A SEMI-CONDUCTEUR, ET CARTE A PUCE ET TERMINAL D’INFORMATION PORTABLE UTILISANT LE DISPOSITIF INTEGRE A SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体集積装置並びにそれを用いたICカード及び携帯情報端末
要約: front page image
(EN)A highly reliable semiconductor integrated device which can detect insufficient erasing and writing generated while a nonvolatile memory is being updated, and an IC card and a portable information terminal using such semiconductor integrated device are provided. A nonvolatile memory (904) having a memory cell group (1001) divided into a plurality of blocks is provided, a flag (1011) is added to a data row (1010) of the block, and the flag is erased or written or erased and written each time the data row is erased or written or erased and written. Two types of set constant currents are applied to the memory cell of the flag, and at that time, a flag judging part (1007) judges whether the erasing or writing or the erasing and writing are normal or abnormal by using the voltage applied by the memory cell. Data wherein an abnormality is detected is re-erased or rewritten or re-erased and re-written to provide normal data.
(FR)L’invention concerne un dispositif intégré à semi-conducteur très fiable pouvant détecter un effacement et une écriture insuffisants générés pendant qu’une mémoire non volatile est mise à jour, et une carte à puce et un terminal d’information portable utilisant un tel dispositif intégré à semi-conducteur. Une mémoire non volatile (904) ayant un groupe de cellules de mémoire (1001) divisé en une pluralité de blocs est mise à disposition, un drapeau (1011) est ajouté à une rangée de données (1010) du bloc, et le drapeau est effacé ou écrit ou effacé et écrit chaque fois que la rangée de données est effacée ou écrite ou effacée et écrite. Deux types de courants fixés constants sont appliqués à la cellule de mémoire du drapeau, et à ce moment, une partie d’appréciation de drapeau (1007) apprécie si l’effacement ou l’écriture ou l’effacement et l’écriture sont normaux ou anormaux à l’aide d’une tension appliquée par la cellule de mémoire. Des données dans lesquelles une anomalie est détectée sont à nouveau effacées ou réécrites ou à nouveau effacées et réécrites pour garantir des données normales.
(JA) 不揮発性メモリの更新中に発生した不十分な消去、書込を検出することが可能な信頼性の高い半導体集積装置並びにそれを用いたICカード及び携帯情報端末が提供される。複数のブロックに分割されて成るメモリセル群1001を持つ不揮発性メモリ904が備えられ、ブロックのデータ列1010にフラグ1011が付加され、データ列が消去、書込、又は消去・書込される毎にフラグも消去、書込、又は消去・書込される。設定した2種類の定電流がフラグのメモリセルに与えられ、そのときにメモリセルが呈する電圧を用いてフラグ判定部1007が消去、書込、又は消去・書込の正常、異常を判定する。異常が検出されたデータに対しては、再度消去、書込、又は消去・書込が行なわれ、正常なデータが得られる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)