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1. (WO2006018914) 有機半導体レーザ装置および有機エレクトロルミネッセンス装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/018914    国際出願番号:    PCT/JP2005/003246
国際公開日: 23.02.2006 国際出願日: 22.02.2005
IPC:
H01S 5/30 (2006.01), H01S 5/042 (2006.01), H05B 33/14 (2006.01), C07D 209/86 (2006.01), C07D 417/04 (2006.01), C07D 471/04 (2006.01), C09K 11/06 (2006.01)
出願人: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY [JP/JP]; 1-8, Honcho 4-chome, Kawaguchi-shi, Saitama 3320012 (JP) (米国を除く全ての指定国).
YAMAMOTO, Hidetoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OYAMADA, Takahito [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SASABE, Hiroyuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ADACHI, Chihaya [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KASAJIMA, Hiroki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YOKOYAMA, Wataru [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: YAMAMOTO, Hidetoshi; (JP).
OYAMADA, Takahito; (JP).
SASABE, Hiroyuki; (JP).
ADACHI, Chihaya; (JP).
KASAJIMA, Hiroki; (JP).
YOKOYAMA, Wataru; (JP)
代理人: INAOKA, Kosaku; c/o AI ASSOCIATION OF PATENT AND TRADEMARK ATTORNE YS, Sun Mullion NBF Tower, 21st Floor, 6-12, Minamihommachi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410054 (JP)
優先権情報:
2004-241146 20.08.2004 JP
2004-241145 20.08.2004 JP
発明の名称: (EN) ORGANIC SEMICONDUCTOR LASER DEVICE AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE
(FR) DISPOSITIF LASER SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE ET DISPOSITIF D’ÉLECTROLUMINESCENCE ORGANIQUE
(JA) 有機半導体レーザ装置および有機エレクトロルミネッセンス装置
要約: front page image
(EN)An organic semiconductor laser device is provided with an organic semiconductor laser active layer and a first transparent conductive film. The organic semiconductor laser device includes an anode for supplying the organic semiconductor laser active layer with holes and a cathode for supplying the organic semiconductor laser active layer with electrons. The cathode is composed of a laminate structure film provided with a metal-containing thin film layer having a thickness of less than 10nm and a second transparent conductive film laminated on the metal-containing thin film layer. In the laminate structure film, the metal-containing thin film is arranged closer to the organic semiconductor laser active layer side than the second transparent conductive film.
(FR)L’invention concerne un dispositif laser semi-conducteur organique comprenant une couche active de laser semi-conducteur organique et un premier film conducteur transparent. Le dispositif laser semi-conducteur organique comporte une anode pour fournir des trous à la couche active de laser semi-conducteur organique et une cathode pour fournir des électrons à la couche active de laser semi-conducteur organique. La cathode est composée d’un film à structure stratifiée comportant une fine couche de film contenant du métal d’une épaisseur inférieure à 10nm et un second film conducteur transparent stratifié sur la couche mince de film contenant du métal. Dans le film à structure stratifiée, la couche mince contenant du métal est placée plus près de la couche active de laser semi-conducteur organique que le second film conducteur transparent.
(JA)この有機半導体レーザ装置は、有機半導体レーザ活性層と、第1透明導電膜を有し、前記有機半導体レーザ活性層に正孔を供給する陽極と、前記有機半導体レーザ活性層に電子を供給する陰極とを含む。陰極は、厚さ10nm未満の金属含有薄膜層、およびこの金属含有薄膜層に積層された第2透明導電膜を有する積層構造膜からなる。この積層構造膜において、前記金属含有薄膜層は、前記第2透明導電膜よりも前記有機半導体レーザ活性層側に配置されている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)