WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2006018878) 冷却装置及び半導体製造装置並びに半導体製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/018878    国際出願番号:    PCT/JP2004/011902
国際公開日: 23.02.2006 国際出願日: 19.08.2004
IPC:
H01L 21/205 (2006.01), C23C 16/48 (2006.01)
出願人: CXE Japan Co., Ltd. [JP/JP]; 147-40, Masuragaharamachi, Ohmura-shi, Nagasaki 8560022 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OKABE, Akira [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OKABE, Akira; (JP)
代理人: ARIYOSHI, Noriharu; 1-4, Hakataekihigashi 3-chome, Hakata-ku, Fukuoka-shi, Fukuoka 8120013 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) COOLER, AND DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR
(FR) REFROIDISSEUR ET DISPOSITIF ET MÉTHODE DE PRODUCTION DE SEMI-CONDUCTEURS
(JA) 冷却装置及び半導体製造装置並びに半導体製造方法
要約: front page image
(EN)[PROBLEMS] A cooler and a device and method for producing a semiconductor in which adhesion of reaction products to the inner wall face of a reaction chamber can be suppressed. [MEANS FOR SOLVING PROBLEMS] The device for producing a semiconductor comprises a reaction chamber (1) made of quartz, a cooler (11) disposed outside the reaction chamber, halogen lamps (6) arranged in the periphery of the reaction chamber and the cooler, and a disc-like wafer supporting body (2) for supporting a semiconductor wafer in the reaction chamber. A flow path (17) for passing cooling gas is formed between a quartz glass plate (7) constituting the cooler (11) and an upper outer wall of the reaction chamber (1). Nitrogen gas (16), a kind of inert gas, is introduced as cooling gas from a cooling gas inlet (12) into the flow path (17). Consequently, the wall face at the upper part of the reaction chamber is efficiently cooled and adhesion of silicon products is suppressed.
(FR)[PROBLÈMES] L’invention se rapporte à un refroidisseur et à un dispositif et une méthode de production de semi-conducteurs dans lesquels l’adhésion des produits de la réaction à la paroi interne d’une chambre à réaction peut être supprimée. [MOYENS DE RÉSOUDRE LES PROBLÈMES] Le dispositif de production d’un semi-conducteur comprend une chambre à réaction (1) faite de quartz, un refroidisseur (11) placé en dehors de la chambre à réaction, des lampes halogènes (6) arrangées dans la périphérie de la chambre à réaction et du refroidisseur et un corps de soutien de galette en forme de disque (2) pour soutenir une galette de semi-conducteur dans la chambre à réaction. Un circuit (17) de passage du gaz refroidissant est formé entre une plaque en verre de quartz (7) constituant le refroidisseur (11) et une paroi externe supérieure de la chambre à réaction (1). Du nitrogène (16), une sorte de gaz inerte, est introduit comme gaz refroidissant via une entrée de gaz refroidissant (12) dans le circuit (17). De ce fait, la paroi de la partie supérieure de la chambre à réaction est efficacement refroidie et l’adhésion des produits silicones est supprimée.
(JA)【課題】 反応室内壁面への反応生成物付着を抑制できる、冷却装置、半導体製造装置及び半導体製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体製造装置は、石英製の反応室1と、反応室の外側に配された冷却装置11と、反応室及び冷却装置の周辺に配されたハロゲンランプ6と、反応室内にて半導体ウエハを支持する円板状のウエハ支持体2からなる。冷却装置11を構成する石英ガラス板7と反応室1の上部外壁との間に冷却ガスが流れる流路17が形成され、流路17内には、冷却ガスとして不活性ガスの1種である窒素ガス16が冷却ガス導入口12から導入されて流れている。これによって、反応室上部の壁面が効率よく冷却され、シリコン生成物が付着しにくくなる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)