WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |

World Intellectual Property Organization
1. (WO2006016678) 半導体装置及びその製造方法

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/016678    国際出願番号:    PCT/JP2005/014855
国際公開日: 16.02.2006 国際出願日: 12.08.2005
H01L 21/3205 (2006.01), H01L 23/52 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
出願人: NEC CORPORATION [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
AMANO, Mari [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
TADA, Munehiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KOTAKE, Naoya [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HAYASHI, Yoshihiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: AMANO, Mari; (JP).
TADA, Munehiro; (JP).
KOTAKE, Naoya; (JP).
HAYASHI, Yoshihiro; (JP)
代理人: FUJIMAKI, Masanori; 5th Floor, Fukoku Seimei Building 2-2, Uchisaiwaicho 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000011 (JP)
2004-235133 12.08.2004 JP
(JA) 半導体装置及びその製造方法
要約: front page image
(EN)A multilayer wiring is formed in a prescribed region in an insulating film formed on an upper part of a semiconductor substrate. A dual damascene wiring positioned on at least one layer constituting the multilayer wiring is composed of an alloy having copper as a main component. As for at least one metal element contained as an added component of the alloy, the concentration inside of a via of the dual damascene wiring is decided corresponding to the difference of the width of an upper layer wiring to which the via is connected. Namely, the wider the upper layer wiring becomes, the higher the concentration of the one metal element inside the connected via becomes. Thus, while suppressing resistance increase of the wiring, generation of a stress-induced void is suppressed, and reliability is improved.
(FR)Un câblage multicouche est formé dans une région prescrite dans un film isolant formé sur la partie supérieure d'un substrat semi-conducteur. Un câblage dual de damasquinage, positionné sur au moins une couche constituant le câblage multicouche, est composé d'un alliage comportant du cuivre en tant que composant principal. Comme élément métallique contenu au moins en tant que composant additionnel de l'alliage, la concentration à l'intérieur d'un trou traversant du câblage dual de damasquinage est décidée, laquelle correspond à la différence de largeur d'un câblage de couche supérieure auquel est connecté le trou traversant. À savoir que plus le câblage de la couche supérieure devient large, plus la concentration du premier élément métallique à l'intérieur du tout au traversant connecté devient haute. Ainsi, alors que l'on supprime l'augmentation de la valeur ohmique, la génération d'un vide induit par contrainte est diminuée et la fiabilité est améliorée.
(JA) 多層配線が半導体基板上方に形成された絶縁膜中の所定の領域に形成されている。この多層配線を構成する少なくともひとつの層に位置するデュアルダマシン配線は、銅を主成分とする合金からなる。前記合金の添加成分として含まれている少なくともひとつの金属元素は、その前記デュアルダマシン配線のビア内部における濃度が、そのビアが接続された上層の配線の幅の相違に応じて決められている。即ち、この上層の配線の幅が大きいほど、接続されたビア内部における前記少なくともひとつの金属元素の濃度が高い。これにより、配線の抵抗上昇を抑制しつつ、ストレス誘起ボイドの発生を抑制し、信頼性を向上させることができる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)