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1. (WO2006016613) 走査型電子顕微鏡
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/016613    国際出願番号:    PCT/JP2005/014677
国際公開日: 16.02.2006 国際出願日: 10.08.2005
IPC:
H01J 37/20 (2006.01), H01J 37/28 (2006.01)
出願人: HITACHI HIGH-TECHNOLOGIES CORPORATION [JP/JP]; 24-14, Nishishinbashi 1-chome Minato-ku, Tokyo 1058717 (JP) (米国を除く全ての指定国).
ARAI, Noriaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
EZUMI, Makoto [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OSE, Yoichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: ARAI, Noriaki; (JP).
EZUMI, Makoto; (JP).
OSE, Yoichi; (JP)
代理人: ASAMURA, Kiyoshi; Room 331, New Ohtemachi Bldg. 2-1, Ohtemachi 2-chome Chiyoda-ku, Tokyo 100-0004 (JP)
優先権情報:
2004-234324 11.08.2004 JP
発明の名称: (EN) SCANNING TYPE ELECTRON MICROSCOPE
(FR) MICROSCOPE ÉLECTRONIQUE À BALAYAGE
(JA) 走査型電子顕微鏡
要約: front page image
(EN)To reduce beam drift in which the orbit of a charged particle beam is deflected by potential gradient produced when the potential of a sample surface is made non-uniform within a charged particle beam irradiation region plane by charging produced when an insulation sample is observed with a charged particle beam. The energy of a charged particle beam applied to a sample is so set that the production efficiency of a secondary electron produced from the sample is at least one. The structure of the device is such that flat electrode (26) that is able to apply a voltage independently and is provided with a hole for permitting the passage of a primary charged particle beam therethrough is disposed facing the sample, a voltage can be applied independently to a sample-mounting sample table (12), and the surface facing the sample is flat and free from unevenness. The diameter D of the hole provided in the flat electrode (26) and the distance L between the flat electrode (26) and the sample are set so as to satisfy the relation D/L≤1.5.
(FR)Pour réduire la dérive du faisceau dans lequel l’orbite d’un faisceau de particules chargées est défléchi par une différence de potentiel produite lorsque le potentiel d’une face d’échantillon est rendue non uniforme dans un plan de région d’irradiation de faisceau de particules chargées produit par chargement, lorsqu’un échantillon d’isolation est observé avec un faisceau de particules chargées. L’énergie d’un faisceau de particules chargées appliqué à un échantillon est réglée pour que l’efficience de production d’un second électron produit à partir de l’échantillon soit d’au moins un. La structure du dispositif est telle que cette électrode plate (26), qui est capable de soumettre une tension indépendamment et qui est disposée avec un trou pour y permettre le passage d’un faisceau primaire de particules chargées, est disposée face à l’échantillon, une tension peut être appliquée indépendamment à un tableau montage de l'échantillon pour essai (12), et la face située en face de l’échantillon est plate et exempte de toute irrégularité. Le diamètre D du trou aménagé dans l’électrode plate (26) et la distance L entre l’électrode plate (26) et l’échantillon sont réglés de façon à satisfaire la relation D/L≤1.5.
(JA)not available
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)