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1. (WO2006016577) CIS系化合物半導体薄膜太陽電池及び該太陽電池の光吸収層の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/016577    国際出願番号:    PCT/JP2005/014570
国際公開日: 16.02.2006 国際出願日: 09.08.2005
IPC:
H01L 31/032 (2006.01)
出願人: SHOWA SHELL SEKIYU K.K. [JP/JP]; 2-3-2, Daiba, Minato-ku, Tokyo 1358074 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KURIYAGAWA, Satoru; (米国のみ).
NAGOYA, Yoshinori; (米国のみ).
TANAKA, Yoshiaki; (米国のみ)
発明者: KURIYAGAWA, Satoru; .
NAGOYA, Yoshinori; .
TANAKA, Yoshiaki;
代理人: MIYAKOSHI, Noriaki; Shin-ei Patent Office 7-13, Nishi-Shimbashi 1-chome Minato-ku, Tokyo 1050003 (JP)
優先権情報:
2004-232238 09.08.2004 JP
発明の名称: (EN) CIS TYPE COMPOUND SEMICONDUCTOR THIN FILM SOLAR CELL AND METHOD FOR PREPARING LIGHT-ABSORBING LAYER OF SAID SOLAR CELL
(FR) CELLULE SOLAIRE SEMI-CONDUCTRICE A COUCHE MINCE A BASE DE COMPOSE DE TYPE CIS ET PROCEDE POUR LA FABRICATION D'UNE COUCHE D'ABSORPTION DE LA LUMIERE DE LADITE CELLULE SOLAIRE
(JA) CIS系化合物半導体薄膜太陽電池及び該太陽電池の光吸収層の製造方法
要約: front page image
(EN)A light absorbing layer of a CIS type compound semiconductor thin film solar cell which is of a compound comprising Cux(In1-yGay)(Se1-zSz)2 and has a chalcopyrite type structure, wherein, with respect to the composition ratio, 0.86 ≤ x ≤0.98, 0.05 ≤ y ≤ 0.25, 0 ≤ z ≤ 0.3 are satisfied, and x = &agr;T + &bgr; and &agr; = 0.015y - 0.00025, &bgr; = -7.9y + 1.105 wherein T (˚C) represents the firing temperature, and a tolerance on x is ± 0.02; a method for preparing the above light absorbing layer which comprises forming a film at a low temperature (approximately 500 ≤ T ≤ 550) by the use of the selenidation method. A soda-lime glass having a low melting point can be used as a substrate. The above light absorbing layer can be formed at a lower temperature and thus allows the improvement of conversion efficiency and productivity, and also allows the expansion of the selection range for the material of a substrate.
(FR)L'invention a trait à une couche d'absorption de la lumière d'une cellule solaire semi-conductrice à couche mince à base de composé de type CIS qui provient d'un composé comprenant Cux(In1-yGay)(Se1-zSz)2 et qui a une structure de type chalcopyrite, dans laquelle, le rapport de composition, 0,86 = x =0.98, 0,05 = y = 0,25, 0 = z = 0,3 est satisfait, et x = aT + ß et a = 0,015y - 0,00025, ß = -7,9y + 1,105 dans laquelle T (°C) représente la température de cuisson, et la tolérance sur x est de ± 0,02; à un procédé pour fabriquer ladite couche d'absorption de la lumière qui comprend la formation d'un film à basse température (approximativement 500 = T = 550) en utilisant la méthode de sélénidation. Un verre sodocalcique, ayant un point de fusion bas, peut être utilisé comme substrat. Ladite couche d'absorption de la lumière peut être fabriquée à une température plus basse et permet ainsi l'amélioration de l'efficacité de la conversion et la productivité, et permet aussi l'extension de la plage de sélection pour le matériau d'un substrat.
(JA)  低温製膜で変換効率及び生産性を向上し、基板材料の選択範囲を拡大する。  CIS系化合物半導体薄膜太陽電池の光吸収層及びその製造方法に関し、Cu(In1-y Ga)(Se1-z からなる化合物でカルコパイライト型の構造で、組成比が、0.86≦x≦0.98、0.05≦y≦0.25、0≦z≦0.3で、且つ、x=αT+βで、α=0.015y-0.00025、β=-7.9y+1.105、但しT(°C)は焼成温度、xの許容範囲は±0.02である。セレン化法により、低温(略500≦T≦550)で製膜する。基板は低融点のソーダライムガラスを使用。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)