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1. (WO2006013846) p型半導体領域を形成する方法および半導体素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/013846    国際出願番号:    PCT/JP2005/014095
国際公開日: 09.02.2006 国際出願日: 02.08.2005
IPC:
H01L 21/268 (2006.01), H01L 33/00 (2010.01)
出願人: SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TANABE, Keiichiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YOSHIMOTO, Susumu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: TANABE, Keiichiro; (JP).
YOSHIMOTO, Susumu; (JP)
代理人: HASEGAWA, Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Ginza First Bldg. 10-6, Ginza 1-chome Chuo-ku, Tokyo 1040061 (JP)
優先権情報:
2004-231543 06.08.2004 JP
発明の名称: (EN) METHOD FOR FORMING P-TYPE SEMICONDUCTOR REGION, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT
(FR) METHODE POUR FABRIQUER DES SEMI-CONDUCTEURS DE TYPE P ET DES ELEMENT SEMI-CONDUCTEUR
(JA) p型半導体領域を形成する方法および半導体素子
要約: front page image
(EN)In a metalorganic vapor deposition apparatus (101), which is a film forming apparatus, a substrate (103) is arranged, a GaN buffer film (105), an undoped GaN film (107) and a GaN film (109) containing a p-type dopant are successively grown on the substrate (103) and an epitaxial substrate (E1) is formed. The semiconductor film (109) contains not only the p-type dopant but also hydrogen which is contained in a material gas. Then, the epitaxial substrate (E1) is arranged in a short pulse laser beam irradiation apparatus (111). A part of or the entire surface of the epitaxial substrate (E1) is irradiated with a laser beam (LB1), and the p-type dopant is activated by using multiphoton absorption process. Through the irradiation of the pulse laser beam (LB1) which generates multiphoton absorption, a p-type GaN film (109a) is formed. A method is provided for forming a p-type semiconductor region by optically activating the p-type dopant in the semiconductor film without using thermal annealing.
(FR)L'invention se rapporte à un appareil de déposition de vapeur métalorganique (101), qui est un appareil de fabrication de film, un substrat est positionné (103), un film de tampon GaN (105), film GaN sans preparation (107) et un film GaN (109) contenant un dopant de type P sont successivement cultivés sur le substrat (103) et un substrat épitaxial (E1) est formé. Le film semi-conducteur (109) ne contient pas seulement le dopant de type P mais aussi de l'hydrogène qui est contenu dans un gaz matériel. Ensuite, le substrat épitaxial (E1) est positionné dans un appareil d'irradiation à faisceau laser à courtes impulsions. Une partie ou la totalité de la surface du substrat épitaxial (E1) est irradiée avec le faisceau laser (LB1), et le dopant de type p est activé en utilisant le processus d'absorption multiphoton. Un film GaN (109a) de type P est formé à travers l'irradiation du faisceau laser pulsé (LB1) qui génère une absorption multiphoton. Cette invention concerne une méthode pour former une région semi-conductrice de type P par activation optique du dopant de type P dans le film semi-conducteur sans utiliser de cuisson thermique.
(JA)有機金属気相成長装置101といった成膜装置内に基板103を配置して、基板103上に、GaNバッファ膜105、アンドープGaN膜107、およびp型ドーパントを含むGaN膜109を順に成長して、エピタキシャル基板E1を形成する。半導体膜109には、p型ドーパントだけでなく、原料ガスに含まれる水素が含まれている。次いで、エピタキシャル基板E1を短パルスレーザ光照射装置111に配置する。エピタキシャル基板E1の表面の一部または全部にレーザ光LB1を照射して、マルチフォトン吸収過程を利用してp型ドーパントを活性化する。マルチフォトン吸収が生じるパルスレーザ光LB1を照射することによってp型GaN膜109aが形成される。熱アニールを用いること無く半導体膜内のp型ドーパントを光学的に活性化してp型半導体領域を形成する方法を提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)