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1. (WO2006013830) 光電極、およびそれを用いた色素増感太陽電池、色素増感太陽電池モジュール
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/013830    国際出願番号:    PCT/JP2005/014053
国際公開日: 09.02.2006 国際出願日: 01.08.2005
IPC:
H01M 14/00 (2006.01), H01L 31/04 (2006.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (米国を除く全ての指定国).
FUKUI, Atsushi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
YAMANAKA, Ryohsuke [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HAN, Liyuan [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: FUKUI, Atsushi; (JP).
YAMANAKA, Ryohsuke; (JP).
HAN, Liyuan; (JP)
代理人: NOGAWA, Shintaro; Nogawa Patent Office Minamimorimachi Park Bldg. 1-3, Nishitenma 5-chome Kita-ku, Osaka-shi Osaka 5300047 (JP)
優先権情報:
2004-228122 04.08.2004 JP
発明の名称: (EN) PHOTOELECTRODE, DYE SENSITIZING SOLAR CELL USING THE SAME, AND DYE SENSITIZING SOLAR CELL MODULE
(FR) PHOTOÉLECTRODE, CELLULE SOLAIRE À COLORANT SOUPLE UTILISANT LE MÊME, ET MODULE DE CELLULE
(JA) 光電極、およびそれを用いた色素増感太陽電池、色素増感太陽電池モジュール
要約: front page image
(EN)A photoelectrode is provided with a conductive board and a semiconductor layer, which is formed on the conductive board and is composed of semiconductor fine particles. The semiconductor layer is constituted of a plurality of layers having different average particle diameters. Among the layers, a distal layer arranged at a position further from the board covers at least a part of a side plane of a proximal layer arranged at a position closer to the board.
(FR)Une photoélectrode comprenant une tablette conductrice et une couche semi-conductrice qui est formée sur la tablette conductrice et qui est composée de fines particules semi-conductrices. La couche semi-conductrice est constituée d'une pluralité de couches qui contiennent des particules avec des diamètres moyens de particules différents. Parmi les couches, une couche distale située à une position plus éloignée de la tablette couvre, au moins, une partie d'une planche latérale d'une couche proximale située à une position plus rapprochée de la tablette.
(JA) 本発明の光電極は、導電性基板と、該導電性基板上に形成された半導体微粒子からなる半導体層を有し、前記半導体層が、半導体微粒子の平均粒径が異なる複数の層で構成されており、かつ、前記複数の層のうち、より基板から遠い位置に配置される遠位層が、より基板に近い位置に配置される近位層の側面の少なくとも一部を覆うように構成されている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)