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1. (WO2006013828) シリコン単結晶の品質評価方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/013828    国際出願番号:    PCT/JP2005/014049
国際公開日: 09.02.2006 国際出願日: 01.08.2005
IPC:
C30B 29/06 (2006.01)
出願人: KOMATSU DENSHI KINZOKU KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 25-1, Shinomiya 3-chome, Hiratsuka-shi, Kanagawa 2540014 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KOTOOKA, Toshirou [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
MATSUKUMA, Shin [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAISHOJI, Toshiaki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KOTOOKA, Toshirou; (JP).
MATSUKUMA, Shin; (JP).
SAISHOJI, Toshiaki; (JP)
代理人: KIMURA, Takahisa; 6F, Sendai Building, 8-11, Minato 1-chome, Chuo-ku Tokyo 1040043 (JP)
優先権情報:
2004-229408 05.08.2004 JP
発明の名称: (EN) METHOD OF EVALUATING QUALITY OF SILICON SINGLE CRYSTAL
(FR) PROCÉDÉ D’ÉVALUATION DE QUALITÉ DE MONOCRISTALLIN DE SILICIUM
(JA) シリコン単結晶の品質評価方法
要約: front page image
(EN)In the crystal growth rate (V), there is such a permissible zone that the given quality of silicon single crystal can be maintained. This permissible zone is determined in advance. The log data of crystal growth rate (V) is measured in the pulling up of silicon single crystal, and using the log data, the actual value of crystal growth rate (V) is determined. The actual value is compared with the permissible zone. Any region of silicon single crystal corresponding to crystal growth rate (V) falling within the permissible zone is judged as being a conforming region satisfying given standards, while any region of silicon single crystal corresponding to crystal growth rate (V) falling outside the permissible zone is judged as being a defective region not satisfying given standards.
(FR)Dans la vitesse de croissance cristalline (V) on trouve une zone permissible permettant de conserver la qualité donnée du monocristallin de silicium. Cette zone permissible est déterminée à l’avance. Les données de diagraphie de vitesse de croissance cristalline (V) sont mesurées pendant l’excursion haute de monocristallin de silicium et les données de diagraphie permettent de déterminer la valeur réelle de vitesse de croissance cristalline (V). On compare la valeur réelle avec la zone permissible. Toute région de monocristallin de silicium correspondant à la vitesse de croissance cristalline (V) entrant dans la zone permissible est jugée comme région standard et satisfaisant aux normes données, tandis qu’une région de monocristallin de silicium correspondant à la vitesse de croissance cristalline (V) sortant de la zone permissible est jugée comme région défectueuse ne satisfaisant pas aux normes données.
(JA) 結晶育成速度Vにはシリコン単結晶が所定品質に保たれるような許容範囲が存在する。この許容範囲を予め求めておく。シリコン単結晶を引き上げる際に結晶育成速度Vのログデータを測定し、このログデータを用いて結晶育成速度Vの実績値を求める。そして許容範囲と実績値を比較する。許容範囲内にある結晶育成速度Vに対応するシリコン単結晶の部位を所定の規格を満たす良品部位と判定し、許容範囲外にある結晶育成速度Vに対応するシリコン単結晶の部位を所定の規格を満たさない不良部位と判定する。  以上によって、ウェーハの品質検査の精度を向上させて、作業効率及び歩留まりを向上させる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)