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1. (WO2006013698) 窒化物半導体素子、及びその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/013698    国際出願番号:    PCT/JP2005/012663
国際公開日: 09.02.2006 国際出願日: 08.07.2005
IPC:
H01S 5/323 (2006.01), H01S 5/22 (2006.01), H01L 33/00 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01)
出願人: NEC Corporation [JP/JP]; 7-1, Shiba 5-chome, Minato-ku, Tokyo 1088001 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SUMINO, Masayoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SUMINO, Masayoshi; (JP)
代理人: IEIRI, Takeshi; Asahi Bldg. 10th Floor 3-33-8, Tsuruya-cho, Kanagawa-ku Yokohama-shi, Kanagawa 2210835 (JP)
優先権情報:
2004-225974 02.08.2004 JP
発明の名称: (EN) NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR EN NITRURE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 窒化物半導体素子、及びその製造方法
要約: front page image
(EN)A semiconductor device capable of enhancing reliability at the time of output operation while reducing the fabrication cost. The nitride semiconductor device comprising a substrate (101), and a plurality of semiconductor layers formed on the substrate (101) is provided with at least one multilayer body consisting of a first semiconductor layer (107) formed on the substrate (101), a polarity reversal layer (108) formed directly on top of the first semiconductor layer (107), and a second semiconductor layer (109) formed directly on top of the polarity reversal layer (108) and patterned. The second semiconductor layer (109) is arranged with a polarity to be etched by wet etching and the first semiconductor layer (107) is arranged with a polarity to be an etching stopper layer by wet etching of the second semiconductor layer (109).
(FR)Dispositif semi-conducteur capable d’améliorer la fiabilité au moment des opérations de production tout en réduisant le coût de fabrication. Dispositif semi-conducteur en nitrure comprenant un substrat (101), et une pluralité de couches semi-conductrices formées sur le substrat (101) est fournie avec au moins un corps multicouche consistant en une première couche semi-conductrice (107) formée sur le substrat (101), une couche d’inversion de polarité (108) formée directement par-dessus la première couche semi-conductrice (107), et une seconde couche semi-conductrice (109) formée directement par-dessus la couche d’inversion de polarité (108) et façonnée. La seconde couche semi-conductrice (109) est arrangée avec une polarité à graver par gravure humide et la première couche semi-conductrice (107) est arrangée avec une polarité pour être une couche d’arrêt de gravure par gravure humide de la seconde couche semi-conductrice (109).
(JA) 出力動作時の信頼性を高め、低コスト化の可能な半導体素子等を提供する。  基板101と、基板101上に複数の半導体層が形成されている窒化物半導体素子であって、基板101上に形成される第1の半導体層107と、第1の半導体層107の直上に積層される極性反転層108と、極性反転層108の直上に積層されてパターニングされる第2の半導体層109とからなる積層体を少なくとも一つ備え、第2の半導体層109は、ウエットエッチングによりエッチングされる極性、第1の半導体層107は、第2の半導体層109のウエットエッチングによるエッチング停止層となる極性に配設する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)