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World Intellectual Property Organization
1. (WO2006013616) ICチップの製造方法

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/013616    国際出願番号:    PCT/JP2004/011057
国際公開日: 09.02.2006 国際出願日: 02.08.2004
H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/68 (2006.01), C09J 201/00 (2006.01), C09J 5/00 (2006.01), C09J 7/02 (2006.01)
出願人: SEKISUI CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 4-4, Nishitemma 2-chome, Kita-ku Osaka-shi, Osaka 5308565 (JP) (米国を除く全ての指定国).
HATAI, Munehiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HAYASHI, Satoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
FUKUOKA, Masateru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
DANJO, Shigeru [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OYAMA, Yasuhiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SHIMOMURA, Kazuhiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SUGITA, Daihei [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KITAJIMA, Yoshikazu [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: HATAI, Munehiro; (JP).
HAYASHI, Satoshi; (JP).
FUKUOKA, Masateru; (JP).
DANJO, Shigeru; (JP).
OYAMA, Yasuhiko; (JP).
SHIMOMURA, Kazuhiro; (JP).
SUGITA, Daihei; (JP).
KITAJIMA, Yoshikazu; (JP)
代理人: YASUTOMI, Yasuo; Chuo Bldg. 4-20, Nishinakajima 5-chome Yodogawa-ku Osaka-shi, Osaka 5320011 (JP)
(JA) ICチップの製造方法
要約: front page image
(EN)A process for producing an IC chip as thin as 50 µm or less, such as an IC chip having a thickness of 25-30 µm, with high productivity. The process for producing an IC chip comprises a step 1 for fixing a wafer to a supporting plate by bonding a surface of a double-sided adhesive tape containing a gas generating agent to the wafer, which double-sided adhesive tape contains the gas generating agent that generates a gas when irradiated with light in at least one adhesive layer on either side, a step 2 for grinding the wafer while keeping it secured to the supporting plate through the double-sided adhesive tape, a step 3 for irradiating the double-sided adhesive tape with light, and a step 4 for separating the double-sided adhesive tape from the wafer. In this process, the gas discharge rate from the double-sided adhesive tape in the step 3 is not less than 5µL/cm2·min.
(FR)Processus pour produire une puce de circuit intégré aussi fine que 50 mm ou moins, telle qu’une puce de circuit intégré ayant une épaisseur de 25-30 mm, avec une productivité élevée. Le processus de production d’une puce de circuit intégré comprend une étape 1 pour fixer une tranche à une plaque de support en collant une surface de ruban adhésif double-face contenant un agent générateur de gaz à la tranche, lequel ruban adhésif double-face contient l’agent générateur de gaz qui génère un gaz lorsque irradié avec de la lumière sur au moins l’une des couches adhésives d’un des côtés, une étape 2 pour polir la tranche tout en la maintenant attachée à la plaque de support par le ruban adhésif double-face, une étape 3 pour irradier le ruban adhésif double-face avec de la lumière, et une étape 4 pour séparer le ruban adhésif double-face de la tranche. Dans ce processus, le débit de décharge de gaz du ruban adhésif double-face de l’étape 3 n’est pas inférieur à 5mL/cm2·min.
(JA)本発明は、厚さ50μm以下、例えば25~30μm程度の極めて薄いICチップを高い生産性で製造することができるICチップの製造方法を提供することを目的とする。 本発明は、少なくとも、光照射により気体を発生する気体発生剤を少なくとも一方の面の粘着層に含有する両面粘着テープの、前記気体発生剤を含有する面とウエハとを貼り合わせて、前記ウエハを支持板に固定する工程1、前記ウエハを、前記両面粘着テープを介して前記支持板に固定した状態で研削する工程2、前記両面粘着テープに光を照射する工程3、及び、前記ウエハから前記両面粘着テープを剥離する工程4を有するICチップの製造方法であって、工程3において、前記両面粘着テープからの気体放出速度が5μL/cm・分以上であるICチップの製造方法である。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)