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1. (WO2006011364) 発振器
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/011364    国際出願番号:    PCT/JP2005/012933
国際公開日: 02.02.2006 国際出願日: 13.07.2005
IPC:
H01L 21/8238 (2006.01), H01L 27/092 (2006.01), H03B 5/12 (2006.01), H03K 3/354 (2006.01)
出願人: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
INOUE, Akira; (米国のみ).
KATAYAMA, Kouji; (米国のみ).
TAKAGI, Takeshi; (米国のみ)
発明者: INOUE, Akira; .
KATAYAMA, Kouji; .
TAKAGI, Takeshi;
代理人: SUMIDA, Yoshihiro; Arco Patent Office, 3rd Fl. Bo-eki Bldg., 123-1, Higashimachi, Chuo-ku Kobe-shi, Hyogo 6500031 (JP)
優先権情報:
2004-220219 28.07.2004 JP
発明の名称: (EN) OSCILLATOR
(FR) OSCILLATEUR
(JA) 発振器
要約: front page image
(EN)In the inventive oscillator, field effect transistors (12,13) included therein as amplifying elements are ones of embedded channel type, each of which has a body region formed on a semiconductor substrate; source and drain regions formed on the body region and having different conductivity types from the body region; an embedded channel region formed between the source and drain regions; and a gate electrode formed over the embedded channel region via a gate insulating film. Body terminals (b12,b13), electrically connected to the body region, each are further connected to a power supply wire to which a power supply potential (Vdd) is applied.
(FR)Les transistors (12, 13) inclus dans l'oscillateur de l'invention en tant qu'éléments amplificateurs, sont de type canal intégré, et chacun d'entre eux a une région de corps formée sur un substrat semi-conducteur; des régions de source et drain formées sur la région de corps et ayant des types de conductivité différents de celui de la région de corps; une région de canal intégré formée entre les régions de source et drain; et une électrode grille formée sur la région de canal intégré via un film d'isolation de grille. De plus chaque terminal de corps (b12, b13), connecté électriquement à la région de corps, est connecté à un fil d'alimentation en électricité auquel un potentiel d'alimentation en électricité (Vdd) est appliqué.
(JA) 本発明の発振器では、増幅素子として含まれる電界効果トランジスタ(12),(13)が、半導体基板上に形成されたボディ領域と、前記ボディ領域上に形成された前記ボディ領域とは異なる導電型のソース領域およびドレイン領域と、前記ソース領域およびドレイン領域間に形成された埋め込みチャネル層と、前記埋め込みチャネル層の上方にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを有した埋め込みチャネル型トランジスタであり、かつ前記ボディ領域と電気的に接続されたボディ端子(b12)、(b13)が電源電位(Vdd)が与えられる電源配線に接続されている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)