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1. (WO2006011336) 高周波プラズマ処理装置および高周波プラズマ処理方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/011336    国際出願番号:    PCT/JP2005/012184
国際公開日: 02.02.2006 国際出願日: 01.07.2005
IPC:
H05H 1/46 (2006.01), C23C 16/505 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01)
出願人: SHARP KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka 5458522 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NISHIKAWA, Kazuhiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
OHKI, Kazuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NISHIKAWA, Kazuhiro; (JP).
OHKI, Kazuki; (JP)
代理人: FUKAMI, Hisao; Fukami Patent Office Nakanoshima Central Tower, 22nd Floor 2-7, Nakanoshima 2-chome Kita-ku, Osaka-shi Osaka 530-0005 (JP)
優先権情報:
2004-222225 29.07.2004 JP
発明の名称: (EN) HIGH-FREQUENCY PLASMA PROCESSING APPARATUS AND HIGH-FREQUENCY PLASMA PROCESSING METHOD
(FR) APPAREIL DE TRAITEMENT PLASMA HAUTE FRÉQUENCE ET MÉTHODE DE TRAITEMENT PLASMA HAUTE FRÉQUENCE
(JA) 高周波プラズマ処理装置および高周波プラズマ処理方法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a high-frequency plasma processing apparatus comprising a reaction vessel (5) for forming a gas atmosphere for plasma formation, a discharge electrode (2) arranged in the reaction vessel (5), and an electromagnetic field controlling means for controlling the high-frequency electric field distribution within the reaction vessel (5). The electromagnetic field controlling means is disposed outside the reaction vessel (5), and comprises an enclosed chamber (6) which is electromagnetically connected with the reaction vessel (5) and so formed as to substantially prevent leakage of high frequency waves to the outside. The high-frequency electric field distribution is changed by moving a movable electromagnetic shielding member (26) in the enclosed chamber (6).
(FR)Est divulgué un appareil de traitement plasma haute fréquence comprenant un récipient de réaction (5) pour former une atmosphère gazeuse pour la formation de plasma, une électrode de décharge (2) disposée dans le récipient de réaction (5) et un moyen de contrôle de champ électromagnétique pour contrôler la distribution du champ électrique haute fréquence à l’intérieur du récipient de réaction (5). Le moyen de contrôle de champ électromagnétique est disposé à l’extérieur du récipient de réaction (5) et comprend une chambre enceinte (6) électromagnétiquement connectée au récipient de réaction (5) et constitué de manière à empêcher, pour l’essentiel, la fuite à l’extérieur d’ondes haute fréquence. La distribution du champ électrique haute fréquence est changée en déplaçant un élément mobile de blindage électromagnétique (26) dans la chambre enceinte (6).
(JA) 高周波プラズマ処理装置は、プラズマを形成するガス雰囲気を形成するための反応容器(5)と、反応容器(5)の内部に配置された放電電極(2)と、反応容器(5)の内部の高周波電界分布を制御するための電磁界制御手段とを備える。電磁界制御手段は、反応容器(5)の外側に配置され、電磁的に反応容器(5)と連通して、外部への高周波の漏洩を実質的に防ぐように形成された閉空間室(6)を含み、閉空間室(6)の内部の可動電磁シールド材(26)を移動することによって、高周波電界分布が変動するように形成されている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)