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World Intellectual Property Organization
1. (WO2006011274) 光検出器

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2006/011274    国際出願番号:    PCT/JP2005/007539
国際公開日: 02.02.2006 国際出願日: 20.04.2005
H01L 31/101 (2006.01), H01L 27/144 (2006.01)
出願人: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD. [JP/JP]; 1006, Oaza Kadoma, Kadoma-shi, Osaka 5718501 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MIYOSHI, Kanako; (米国のみ).
YAMAGUCHI, Hiroshi; (米国のみ).
SHIRAKAWA, Yasufumi; (米国のみ)
発明者: MIYOSHI, Kanako; .
YAMAGUCHI, Hiroshi; .
SHIRAKAWA, Yasufumi;
代理人: MAEDA, Hiroshi; Osaka-Marubeni Bldg. 5-7, Hommachi 2-chome Chuo-ku Osaka-shi Osaka, 5410053 (JP)
2004-223588 30.07.2004 JP
(JA) 光検出器
要約: front page image
(EN)In order to prevent detection error or erroneous operation of a circuit by effectively removing the affect of unnecessary light coming into the inner region of a semiconductor substrate, a photodiode (200) is provided with an N type region (201) for forming a light receiving part on a P type region formed on a P type substrate. A cathode electrode (211), a P type region (202), and an anode electrode (212) are formed on three sides around the N type region (201), and an N type region (203) and a charge absorption electrode (213) are further formed on four sides at the outer circumferential part thereof. The anode electrode (212) is grounded and a power voltage Vcc is applied to the charge absorption electrode (213). Since a negative electric charge produced by light coming into the outer region of the photodiode (200) moves to the power source of voltage Vcc through the charge absorption electrode (213), no affect is caused on the current flowing through the photodiode (200).
(FR)Afin d’éviter une erreur de détection ou un dysfonctionnement d’un circuit en éliminant efficacement l’effet de la lumière inutile entrant dans la région intérieure d’un substrat semi-conducteur, une photodiode (200) est munie d’une région de type N (201) destinée à former une partie réceptrice de lumière sur une région de type P formée sur un substrat de type P. Une électrode de cathode (211), une région de type P (202) et une électrode d’anode (212) sont formées sur trois côtés autour de la région de type N (201), et une région de type N (203) et une électrode absorbant les charges (213) sont en outre formées sur quatre côtés sur la circonférence extérieure de celle-ci. L’électrode d’anode (212) est mise à la terre et une tension électrique Vcc est appliquée à l’électrode absorbant les charges (213). Puisqu’une charge électrique négative produite par la lumière entrant dans la région extérieure de la photodiode (200) se déplace vers la source électrique de tension Vcc à travers l’électrode absorbant les charges (213), aucun effet n’est produit sur le courant circulant dans la photodiode (200).
(JA) 半導体基板の内部領域に入射する不要光の影響を効果的に排除して、検出誤差や回路の誤動作を防止するため、フォトダイオード200は、P型基板上に形成されたP型領域上に、受光部を形成するN型領域201が形成されて構成される。N型領域201の周囲3方にはカソード電極211、P型領域202、およびアノード電極212が形成され、さらにその4方の外周部に、N型領域203、および電荷吸収電極213が形成されている。上記アノード電極212は接地され、電荷吸収電極213には電源電圧Vccが印加される。フォトダイオード200の外方の領域に光が入射して生じた負電荷は電荷吸収電極213を介して電圧Vccの電源に移動するので、フォトダイオード200を介して流れる電流への影響が生じない。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)