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1. (WO2005112217) 過電流検出回路及びこれを有する電源装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/112217    国際出願番号:    PCT/JP2005/008967
国際公開日: 24.11.2005 国際出願日: 17.05.2005
IPC:
H02H 3/087 (2006.01), H02H 7/20 (2006.01), H03K 17/08 (2006.01), G05F 1/10 (2006.01)
出願人: ROHM CO., LTD [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-Cho Ukyo-Ku, Kyoto-Shi Kyoto 6158585 (JP) (米国を除く全ての指定国).
OKI, Hirokazu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
IDE, Yuzo [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: OKI, Hirokazu; (JP).
IDE, Yuzo; (JP)
代理人: SANO, Shizuo; Tenmabashi-Yachiyo Bldg. Bekkan, 2-6, Tenmabashi-Kyomachi, Chuo-Ku, Osaka-Shi, Osaka 5400032 (JP)
優先権情報:
2004-147290 18.05.2004 JP
発明の名称: (EN) EXCESS CURRENT DETECTING CIRCUIT AND POWER SUPPLY DEVICE PROVIDED WITH IT
(FR) CIRCUIT DE DÉTECTION DE COURANT EXCESSIF ET DISPOSITIF D’ALIMENTATION QUI EN EST ÉQUIPÉ
(JA) 過電流検出回路及びこれを有する電源装置
要約: front page image
(EN)An excess current detecting circuit (14) detects an excess current status of a power MOS transistor (2), which outputs a current to a load (6) from a drain electrode, and outputs the excess current detecting signal. The excess current detecting circuit is provided with a detection MOS transistor (3) wherein a source electrode and a gate electrode are connected to a source electrode and a gate electrode of the power MOS transistor (2), respectively, a constant current circuit (4) connected with a drain electrode of the detection MOS transistor (3) for flowing a prescribed constant current to the detection MOS transistor (3), and a comparator (5) for outputting the excess current detection signal based on the results of the comparison between a potential of the drain electrode of the power MOS transistor (2) and a potential of the drain electrode of the detection MOS transistor (3).
(FR)Un circuit de détection de courant excessif (14) détecte un état de courant excessif d’un transistor de puissance MOS (2) qui sort un courant vers une charge (6) d’une électrode de drain, et sort le signal de détection de courant excessif. Le circuit de détection de courant excessif est équipé d’un transistor MOS de détection (3), une électrode de source et une électrode de grille étant connectées à une électrode de source et une électrode de grille du transistor de puissance MOS (2), respectivement, un circuit de courant constant (4) connecté à une électrode de drain du transistor MOS de détection (3) pour fournir un courant constant prescrit au transistor MOS de détection (3), et un comparateur (5) pour sortir le signal de détection de courant excessif basé sur les résultats de la comparaison entre un potentiel de l’électrode de drain du transistor de puissance MOS (2) et un potentiel de l’électrode de drain du transistor MOS de détection (3).
(JA) ドレイン電極より負荷(6)に電流を出力するパワーMOSトランジスタ(2)の過電流状態を検出して、過電流検出信号を出力する過電流検出回路(14)であって、ソース電極及びゲート電極が、それぞれパワーMOSトランジスタ(2)のソース電極及びゲート電極に接続された検出用MOSトランジスタ(3)と、検出用MOSトランジスタ(3)のドレイン電極に接続され、検出用MOSトランジスタ(3)に所定の定電流を流す定電流回路(4)と、パワーMOSトランジスタ(2)のドレイン電極の電位と検出用MOSトランジスタ(3)のドレイン電極の電位との比較結果に基づいて、前記過電流検出信号を出力するコンパレータ(5)とを備えている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)