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1. (WO2005112097) 半導体装置およびその製造方法、半導体基板およびその製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/112097    国際出願番号:    PCT/JP2005/008639
国際公開日: 24.11.2005 国際出願日: 11.05.2005
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01), H01L 27/08 (2006.01), H01L 27/092 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01)
出願人: FUJITSU LIMITED [JP/JP]; 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa 2118588 (JP) (米国を除く全ての指定国).
MISHIMA, Yasuyoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: MISHIMA, Yasuyoshi; (JP)
代理人: ITOH, Tadahiko; 32nd Floor, Yebisu Garden Place Tower, 20-3, Ebisu, 4-chome Shibuya-ku, Tokyo 1506032 (JP)
優先権情報:
PCT/JP2004/006447 13.05.2004 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME, SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ POUR LA FABRICATION DE CELUI-CI, SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ POUR LA FABRICATION DE CELUI-CI
(JA) 半導体装置およびその製造方法、半導体基板およびその製造方法
要約: front page image
(EN)A semiconductor substrate having an Si film wherein strain is induced and its production method, a semiconductor device employing the semiconductor substrate and its fabrication method. The semiconductor substrate has such a structure wherein a silicon oxide film, and a strain Si film wherein tensile strain is induced in the direction parallel with the substrate surface are formed on a single crystal silicon substrate. In the production method of the semiconductor substrate, an SiGe film is grown epitaxially on the Si film formed on the silicon oxide film and then the surface of the SiGe film is heated for a short time by laser irradiation. A tensile strain is induced in the Si film due to lattice relaxation of the SiGe film. Subsequently, the SiGe film is removed. An n-type MOS transistor and a p-type MOS transistor of high speed operation employing the semiconductor substrate are also disclosed.
(FR)Un substrat semi-conducteur ayant une pellicule de Si dans laquelle est induite la contrainte et son procédé de fabrication, un dispositif semi-conducteur utilisant le substrat semi-conducteur et son procédé de fabrication. Le substrat semi-conducteur a une structure dans laquelle une pellicule d’oxyde de silicium, et une pellicule de Si de contrainte, dans laquelle une contrainte de traction est induite dans la direction parallèle à la surface du substrat sont formées sur un substrat de silicium monocristallin. Dans le procédé de fabrication du substrat semi-conducteur, on fait grandir une pellicule de SiGe de manière épitaxiale sur la pellicule de Si formée sur la pellicule d’oxyde de silicium, puis la surface de la pellicule de SiGe est chauffée pendant un court moment par irradiation au laser. Une contrainte de traction est induite dans la pellicule de Si en raison du relâchement du réseau de la pellicule de SiGe. Ensuite, on retire la pellicule de SiGe. Un transistor MOS de type n et un transistor MOS de type p fonctionnant à grande vitesse utilisant le substrat semi-conducteur sont également décrits.
(JA) 歪みが誘起されたSi膜を備えた半導体基板およびその製造方法、その半導体基板を用いた半導体装置およびその製造方法を開示する。半導体基板は、単結晶シリコン基板と、その上にシリコン酸化膜、および基板面に平行な方向に引っ張り歪みが誘起された歪みSi膜が積層された構成を有する。半導体基板の製造方法は、シリコン酸化膜上のSi膜の上にSiGe膜をエピタキシャル成長させて、次いで、SiGe膜の表面をレーザ照射等で短時間の加熱を行う。これによりSiGe膜の格子緩和に伴ってSi膜に引っ張り歪みが誘起される。次いでSiGe膜を除去する。この半導体基板を用いた高速動作のn型MOSトランジスタおよびp型MOSトランジスタについても開示する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)