WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | Français | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

国際・国内特許データベース検索
World Intellectual Property Organization
検索
 
閲覧
 
翻訳
 
オプション
 
最新情報
 
ログイン
 
ヘルプ
 
自動翻訳
1. (WO2005112095) AN IMPROVED METHOD FOR FABRICATING AN ULTRALOW DIELECTRIC CONSTANT MATERIAL AS AN INTRALEVEL OR INTERLEVEL DIELECTRIC IN A SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE MADE
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

国際公開番号: WO/2005/112095 国際出願番号: PCT/US2005/009820
国際公開日: 24.11.2005 国際出願日: 23.03.2005
予備審査請求日: 03.03.2006
IPC:
H01L 21/312 (2006.01) ,H01L 21/316 (2006.01) ,C23C 16/40 (2006.01)
出願人: GATES, Stephen M.[US/US]; US (UsOnly)
GRILL, Alfred[US/US]; US (UsOnly)
MEDEIROS, David R.[US/US]; US (UsOnly)
NEUMAYER, Deborah[US/US]; US (UsOnly)
NGUYEN, Son Van[US/US]; US (UsOnly)
PATEL, Vishnubhai V.[US/US]; US (UsOnly)
WANG, Xinhui[US/US]; US (UsOnly)
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION[US/US]; New Orchard Road Armonk, NY 10504, US (AllExceptUS)
発明者: GATES, Stephen M.; US
GRILL, Alfred; US
MEDEIROS, David R.; US
NEUMAYER, Deborah; US
NGUYEN, Son Van; US
PATEL, Vishnubhai V.; US
WANG, Xinhui; US
代理人: GROLZ, Edward, W.; Scully, Scott, Murphy & Presser 400 Garden City Plaza Garden City, NY 11530, US
優先権情報:
10/838,84903.05.2004US
発明の名称: (EN) AN IMPROVED METHOD FOR FABRICATING AN ULTRALOW DIELECTRIC CONSTANT MATERIAL AS AN INTRALEVEL OR INTERLEVEL DIELECTRIC IN A SEMICONDUCTOR DEVICE AND ELECTRONIC DEVICE MADE
(FR) PROCEDE AMELIORE DE FABRICATION D'UNE MATIERE A CONSTANTE DIELECTRIQUE ULTRAFAIBLE EN TANT QU'INTER-NIVEAU OU DIELECTRIQUE D'INTER-NIVEAU DANS UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET DISPOSITIF ELECTRONIQUE ASSOCIE
要約: front page image
(EN) A method for fabricating a thermally stable ultralow dielectric constant film comprising Si, C, O and H atoms in a parallel plate chemical vapor deposition process utilizing a plasma enhanced chemical vapor deposition ('PECVD') process is disclosed. Electronic devices containing insulating layers of thermally stable ultralow dielectric constant materials that are prepared by the method are further disclosed. To enable the fabrication of a thermally stable ultralow dielectric constant film, specific precursor materials are used, such as, silane derivatives, for instance, diethoxymethylsilane (DEMS) and organic molecules, for instance, bicycloheptadiene and cyclopentene oxide.
(FR) L'invention concerne un procédé de fabrication d'un film à constante diélectrique ultrafaible stable thermiquement contenant des atomes de Si, C, O et H, au cours d'un procédé DCPV à plaque parallèle utilisant un procédé amélioré plasma-CVD. Ladite invention a aussi pour objet des dispositifs électroniques contenant des couches d'isolation de matières à constante diélectrique ultrafaible, stables thermiquement qui sont préparées par ce procédé. Selon cette invention, pour permettre la fabrication d'un film à constante diélectrique ultrafaible stable thermiquement, des matières de précurseurs spécifiques sont utilisées, telles que des dérivés de silane, par exemple, du diéthoxyméthylsilane (DEMS) et des molécules organiques, par exemple, du bicycloheptadiène et de l'oxyde de cyclopentène.
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
国際公開言語: 英語 (EN)
国際出願言語: 英語 (EN)