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1. (WO2005109530) 半導体発光素子およびその製法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/109530    国際出願番号:    PCT/JP2005/008510
国際公開日: 17.11.2005 国際出願日: 10.05.2005
IPC:
H01L 33/32 (2010.01), H01L 33/40 (2010.01)
出願人: ROHM CO., LTD [JP/JP]; 21, Saiin Mizosaki-Cho, Ukyo-ku Kyoto-shi, Kyoto 6158585 (JP) (米国を除く全ての指定国).
SAKAI, Mitsuhiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
KOHDA, Shinichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SONOBE, Masayuki [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKAHARA, Ken [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: SAKAI, Mitsuhiko; (JP).
KOHDA, Shinichi; (JP).
SONOBE, Masayuki; (JP).
NAKAHARA, Ken; (JP)
代理人: KAWAMURA, Kiyoshi; KAWAMURA & CO. Shinei Bldg. 6E 5-1, Nishinakajima4-chome Yodogawa-ku Osaka-shi Osaka, 5320011 (JP)
優先権情報:
2004-140995 11.05.2004 JP
2005-130570 27.04.2005 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING SAME
(FR) DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DUDIT DISPOSITIF
(JA) 半導体発光素子およびその製法
要約: front page image
(EN)Disclosed is a semiconductor light-emitting device comprising an n-side electrode with a structure capable of stably suppressing the contact resistance between the n-side electrode and a nitride semiconductor layer. Also disclosed is a nitride semiconductor light-emitting device wherein an ohmic contact with a nitride semiconductor layer can be obtained through a simple manufacturing process, and on the surface of which is formed an n-side electrode having an Au layer facilitating wire bonding. On the surface of a sapphire (Al2O3 single crystal) substrate (1), for example, semiconductor layers (2-8) constituting a light-emitting layer are arranged in layers and a p-side electrode (10) is formed on the surface thereof via a light-transmitting conductive layer (9). An n-side electrode (11) is formed on an n-type layer (4) which is exposed by removing a part of the semiconductor layers (4-8) through etching. A side of the n-side electrode in contact with the n-type layer is composed of an Al layer (11a). The n-side electrode of an actual LED further comprises an Au layer (11c) which is formed on the surface of the Al layer via a barrier metal layer (11b).
(FR)Il est prévu un dispositif électroluminescent semi-conducteur comprenant une électrode côté n d’une structure capable de supprimer en toute stabilité la résistance de contact entre l’électrode côté n et une couche semi-conductrice de nitrure. Il est également prévu un dispositif électroluminescent semi-conducteur de nitrure dans lequel on peut obtenir une connexion conductrice avec une couche semi-conductrice de nitrure grâce à un procédé de fabrication simple, et à la surface duquel est formée une électrode côté n ayant une couche Au facilitant une liaison métallique. A la surface d’un substrat de saphir (simple cristal Al2O3) (1), par exemple, des couches semi-conductrices (2-8) constituant une couche électroluminescente sont disposées en couches et une électrode côté p (10) est formée à la surface de celle-ci par le biais d’une couche conductrice de transmission de la lumière (9). Une électrode côté n (11) est formée sur une couche de type n (4) que l’on expose en retirant une partie des couches semi-conductrices (4-8) par attaque chimique. Un côté de l’électrode côté n en contact avec la couche de type n est composé d'une couche Al (11a). L’électrode côté n d’une DEL proprement dite comprend en outre une couche Au (11c) formée à la surface de la couche Al par le biais d’une couche de métal de protection (11b).
(JA) n側電極と窒化物半導体層との接触抵抗を安定して小さくすることができる構成のn側電極を有する半導体発光素子、さらには簡単な製造工程で、窒化物半導体層とのオーミックコンタクトが得られ、かつ、表面にはワイヤボンディングを行いやすいAu層を有するn側電極が形成された窒化物半導体発光素子およびその製法を提供する。  たとえばサファイア(Al単結晶)などからなる基板(1)の表面に発光層を形成する半導体層(2~8)が積層されて、その表面に透光性導電層(9)を介してp側電極(10)が形成されている。また、積層された半導体層(4~8)の一部がエッチングにより除去されて露出したn形層(4)にn側電極(11)が形成されている。このn側電極のn形層との接触面側が、Al層(11a)により形成されている。実際のLEDのn側電極としては、この表面にさらにバリアメタル層(11b)を介してAu層(11c)が形成されている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)