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1. (WO2005109521) 半導体装置
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/109521    国際出願番号:    PCT/JP2005/008717
国際公開日: 17.11.2005 国際出願日: 12.05.2005
IPC:
H01L 29/78 (2006.01)
出願人: KABUSHIKI KAISHA TOYOTA CHUO KENKYUSHO [JP/JP]; 41-1, Aza Yokomichi, Oaza Nagakute, Nagakute-cho, Aichi-gun, Aichi 4801192 (JP) (米国を除く全ての指定国).
TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 1, Toyota-cho, Toyota-shi Aichi 4718571 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KAWAJI, Sachiko [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
ISHIKO, Masayasu [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SUGIYAMA, Takahide [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
USUI, Masanori [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SAITO, Jun [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HOTTA, Koji [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KAWAJI, Sachiko; (JP).
ISHIKO, Masayasu; (JP).
SUGIYAMA, Takahide; (JP).
USUI, Masanori; (JP).
SAITO, Jun; (JP).
HOTTA, Koji; (JP)
代理人: KAI-U PATENT LAW FIRM; NISSEKI MEIEKI BUILDING 7F 45-14, Meieki 2-chome Nakamura-ku Nagoya-shi Aichi, 4500002 (JP)
優先権情報:
2004-141797 12.05.2004 JP
発明の名称: (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
要約: front page image
(EN)The function of accumulation of hole carriers can be obtained over a wide range of the semiconductor region in a floating state formed in an IGBT body region. An n type semiconductor region (52) whose potential is floating is formed in a p- type body region (28). The n type semiconductor region (52) is isolated from an n+ emitter region (32) and from an n- drift region (26) by the body region (28). Furthermore, a second electrode (62) is formed so as to oppose to at least a part of the semiconductor region (52) via an insulation film (64) and not opposing to the emitter region (32).
(FR)La fonction d’accumulation de porteurs de trous peut s’obtenir sur une portion étendue de la région semi-conductrice dans un état flottant formée dans une région de corps IGBT. Une région semi-conductrice de type n (52) dont le potentiel est flottant, est formée dans une région de corps de type p- (28). La région semi-conductrice de type n (52) est isolée d’une région émettrice n+ (32) et d’une région de dérive n- (26) par la région de corps (28). En outre, une seconde électrode (62) est formée de manière à faire face au moins à une partie de la région semi-conductrice (52) par le biais d'un film isolant (64) et ne faisant pas face à la région émettrice (32).
(JA) IGBTのボディ領域内に形成されるフローティング状態の半導体領域の広い範囲に亘って、正孔キャリアを蓄積する作用が発揮されるようにする。  p型のボディ領域28内に形成されており、ボディ領域28によってn型のエミッタ領域32とn型のドリフト領域26の双方から隔てられており、電位がフローティングしているn型の半導体領域52が形成されている。さらに、その半導体領域52の少なくとも一部に絶縁膜64を介して対向するとともに、エミッタ領域32に対向していない第2電極62が形成されている。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)