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1. (WO2005109439) 不揮発性半導体メモリ、半導体装置及びチャージポンプ回路
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/109439    国際出願番号:    PCT/JP2004/006262
国際公開日: 17.11.2005 国際出願日: 11.05.2004
IPC:
G11C 11/34 (2006.01), G11C 16/06 (2006.01)
出願人: SPANSION LLC [US/US]; One AMD Place P.O.Box 3453 Sunnyvale, CA 94088-3453 (US) (米国を除く全ての指定国).
SPANSION JAPAN LIMITED [JP/JP]; 6, Kogyodanchi Monden-machi Aizuwakamatsu-shi Fukushima 965-0845 (JP) (米国を除く全ての指定国).
KURIHARA, Kazuhiro [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: KURIHARA, Kazuhiro; (JP)
代理人: KATAYAMA, Shuhei; Mitsui Sumitomo Marine Tepco Building 6-1, Kyobashi 1-chome Chuo-ku, Tokyo 1040031 (JP)
優先権情報:
発明の名称: (EN) NONVOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, SEMICONDUCTOR DEVICE AND CHARGE PUMP CIRCUIT
(FR) MÉMOIRE DE SEMI-CONDUCTEUR NON VOLATILE, DISPOSITIF DE SEMI-CONDUCTEUR ET CIRCUIT DE MAINTIEN DE CHARGE
(JA) 不揮発性半導体メモリ、半導体装置及びチャージポンプ回路
要約: front page image
(EN)A nonvolatile semiconductor memory comprising a first pump (10) activated at a first timing for generating a first voltage; a second pump (20) activated at a second timing following the first timing for applying a second voltage to a predetermined node (N1) connected to a nonvolatile semiconductor memory cell (50); and a booster (60) for boosting the predetermined node by use of the first voltage at the second timing. When the second pump (20) keeps the predetermined node (N1) at the second voltage, the first pump (10) is used to boost the predetermined node (N1), whereby a high speed operation can be realized.
(FR)Une mémoire de semi-conducteur non volatile comprenant une première pompe (10) activée à une première synchronisation pour générer une première tension ; une deuxième pompe (20) activée à une deuxième synchronisation suivant la première synchronisation pour appliquer une deuxième tension à un nœud (N1) prédéterminé par utilisation de la première tension à la deuxième synchronisation. Lorsque la deuxième pompe (20) garde le nœud prédéterminé (N1)à la deuxième tension, la première pompe (10) est utilisée pour suralimenter le nœud prédéterminé (N1)par lequel une opération haute vitesse peut être effectuée.
(JA) 第1のタイミングで動作を開始して第1の電圧を生成する第1のポンプ10と、前記第1のタイミングに続く第2のタイミングで動作を開始して、不揮発性半導体メモリセル50に接続された所定ノードN1に第2の電圧を印加する第2のポンプ20と、前記第2のタイミングで前記第1の電圧を用いて前記所定のノードをブーストするブースタ60とを有する不揮発性半導体メモリである。第2のポンプ20で所定ノードN1を第2の電圧に保持する際、第1のポンプ10を用いて所定ノードN1をブーストすることとしたため、高速動作が可能となる。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)