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1. (WO2005106976) 発光素子の製造方法及び発光素子
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/106976    国際出願番号:    PCT/JP2005/007177
国際公開日: 10.11.2005 国際出願日: 13.04.2005
IPC:
H01L 33/16 (2010.01), H01L 21/308 (2006.01), H01L 33/30 (2010.01)
出願人: SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. [JP/JP]; 4-2, Marunouchi 1-chome Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP) (米国を除く全ての指定国).
IKEDA, Hitoshi [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
SUZUKI, Kingo [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
NAKAMURA, Akio [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: IKEDA, Hitoshi; (JP).
SUZUKI, Kingo; (JP).
NAKAMURA, Akio; (JP)
代理人: SUGAWARA, Masatsune; SUGAWARA & ASSOCIATES Sakae Yamakichi Bldg. 9-30, Sakae 2-chome Naka-ku, Nagoya-shi Aichi 4600008 (JP)
優先権情報:
2004-131807 27.04.2004 JP
発明の名称: (EN) PROCESS FOR PRODUCING LUMINESCENT DEVICE AND LUMINESCENT DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF LUMINESCENT ET DISPOSITIF LUMINESCENT
(JA) 発光素子の製造方法及び発光素子
要約: front page image
(EN)There is provided a luminescent device wafer comprising luminescent layer section (24) having a double heterostructure composed of, arranged in the following sequence, first conductive clad layer (6), active layer (5) and second conductive clad layer (4), each of which consists of a compound having a composition capable of lattice matching with GaAs among compounds of the composition formula (AlxGa1-x)yIn1-yP (wherein 0≤x≤1 and 0≤y≤1), the luminescent layer section (24) having a main surface of (100) plane, and comprising GaP transparent semiconductor layers (20,90) disposed on the luminescent layer section (24) so as to ensure accordance of crystal orientations. A luminescent device chip can be obtained by dicing the luminescent device wafer so that the sides of the GaP transparent semiconductor layers constitute {100} plane. As a result, there can be provided a process for producing a luminescent device comprising the AlGaInP luminescent layer section and GaP transparent semiconductor layers, wherein at the time of dicing, the possibility of occurrence of defects, such as edge chipping, is low.
(FR)Il est prévu une plaquette de dispositif luminescent comprenant une section de couche luminescente (24) ayant une double hétérostructure composée de, dans l’ordre suivant, une première couche de revêtement conductrice (6), une couche active (5) et une seconde couche de revêtement conductrice (4), dont chacune est constituée d’un composé ayant une composition capable de correspondance en réseau avec des GaAs parmi des composés présentant la formule de composition (AlxGa1-x)yIn1-yP (où 0 ≤ x ≤ 1 et 0 ≤ y ≤ 1), la section de couche luminescente (24) ayant une surface principale de plan (100), et comprenant des couches semi-conductrices transparentes GaP (20, 90) disposées sur la section de couche luminescente (24) pour garantir l’harmonisation de l'orientation des cristaux. On peut obtenir une puce à dispositif luminescent en découpant la plaquette de dispositif luminescent pour que les faces latérales des couches semi-conductrices transparentes GaP constituent le plan (100). Il en résulte qu’on peut obtenir un procédé de fabrication d'un dispositif luminescent comprenant la section de couche luminescente AlGalnP et les couches semi-conductrices transparentes GaP, dans lequel au moment de la découpe les risques de formation de défauts comme les bavures des bords sont faibles.
(JA) 組成式(AlGa1-xIn1-yP(ただし、0≦x≦1,0≦y≦1)にて表される化合物のうち、GaAsと格子整合する組成を有する化合物にて各々構成された第一導電型クラッド層6、活性層5及び第二導電型クラッド層4がこの順序で積層されたダブルへテロ構造を有し、かつ主表面が(100)面である発光層部24と、該発光層部24に対し結晶方位が一致するように積層されたGaP透明半導体層20,90とを有する発光素子ウェーハを、GaP透明半導体層の側面が{100}面となるようにダイシングして発光素子チップを得る。これにより、AlGaInP発光層部とGaP透明半導体層とを有した発光素子において、ダイシング時にエッジチッピング等の不良が生じ難くい製造方法を提供する。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)