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1. (WO2005106083) InP単結晶ウェハ及びInP単結晶の製造方法
国際事務局に記録されている最新の書誌情報   

Translation翻訳: 原文 > 日本語
国際公開番号:    WO/2005/106083    国際出願番号:    PCT/JP2005/002223
国際公開日: 10.11.2005 国際出願日: 15.02.2005
予備審査請求日:    06.07.2005    
IPC:
C30B 15/00 (2006.01), C30B 15/22 (2006.01), C30B 27/02 (2006.01), C30B 29/40 (2006.01)
出願人: NIPPON MINING & METALS CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Toranomon 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1058407 (JP) (米国を除く全ての指定国).
NODA, Akira [JP/JP]; (JP) (米国のみ).
HIRANO, Ryuichi [JP/JP]; (JP) (米国のみ)
発明者: NODA, Akira; (JP).
HIRANO, Ryuichi; (JP)
代理人: ARAFUNE, Hiroshi; 5F, Nikko Kagurazaka Building, 18, Iwato-cho, Shinjuku-ku, Tokyo 1620832 (JP)
優先権情報:
2004-132661 28.04.2004 JP
発明の名称: (EN) InP SINGLE CRYSTAL WAFER AND InP SINGLE CRYSTAL MANUFACTURING METHOD
(FR) TRANCHE DE MONOCRISTAL InP ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MONOCRISTAL InP
(JA) InP単結晶ウェハ及びInP単結晶の製造方法
要約: front page image
(EN)A method for manufacturing a low dislocation density InP single crystal suitable to be applied to optical devices such as a semiconductor laser, etc. and a low dislocation density InP single crystal wafer are provided. In a liquid encapsulation Czochralski method, a material melt container composed of a bottomed cylinder-shaped crucible contains a semiconductor material and a sealant, the container is heated to melt a material, a seed crystal is brought into contact with the material melt surface under the condition wherein the material is covered with the sealant, and a crystal is grown by pulling the seed crystal. A temperature gradient in the crystal growth direction is set at 25°C /cm or less, temperature decrease quantity is set at 0.25°C/hr and a crystal shoulder part is grown from the seed crystal to manufacture an InP single crystal. An iron-doped or undoped InP single crystal wafer, of which an area with a dislocation density of 500/cm2 or less is 70% or more, is attained.
(FR)Un procédé de fabrication d'un monocristal InP de faible densité de dislocation convenant pour être utilisé dans des dispositifs optiques tels qu’un laser semi-conducteur, etc. et une tranche de monocristal InP de faible densité de dislocation sont fournis. Dans un procédé de Czochralski d'encapsulation de liquide, un récipient de fonte de matériau composé d'un creuset cylindrique contient un matériau semi-conducteur et un produit d’étanchéité, le récipient est chauffé pour fondre un matériau, un cristal matriciel est mis en contact avec la surface fondue de matériau à condition que le matériau soit couvert avec le produit d’étanchéité, et un cristal croît en tirant le cristal matriciel. Un gradient de température dans la direction de croissance du cristal est réglé à 25 °C/cm ou moins, la diminution de température est fixée à 0,25 °C/hr et une partie de cristal croît à partir du cristal matriciel pour fabriquer un monocristal InP. Une tranche de monocristal InP enrichi en fer ou non, duquel une surface avec une densité de dislocation de 500/cm2 ou moins est de 70 % ou plus, est obtenue.
(JA) 半導体レーザ等の光デバイスの用途に適した低転位InP単結晶の製造方法及び低転位InP単結晶ウェハを提供する。  有底円筒形のルツボで構成された原料融液収容部に半導体原料と封止剤を収容し、前記原料収容部を加熱して原料を溶融させ、前記封止剤に覆われた状態で該原料融液表面に種結晶を接触させて、該種結晶を引き上げながら結晶成長させる液体封止チョクラルスキー法において、結晶成長方向の温度勾配を25°C/cm以下とし、降温量を0.25°C/hr以上として、種結晶から結晶肩部を成長させてInP単結晶を製造するようにし、転位密度が500/cm2以下である領域が70%以上を占める鉄ドープもしくはアンドープのInP単結晶ウェハを実現した。
指定国: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
アフリカ広域知的所有権機関(ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
ユーラシア特許庁(EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
欧州特許庁(EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
アフリカ知的所有権機関(OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
国際公開言語: Japanese (JA)
国際出願言語: Japanese (JA)